微连接课件-第2章连接原理.pptVIP

焊接结构组组内报告 微电子封装与组装的可靠性与测试材料成型与控制系 第二章 微连接方法与原理 3.2 共晶焊技术 （低熔点合金焊，非粘接技术，芯片与底座连接方法） 原理 363℃ 焊接过程和设备 金硅共晶点以上温度和压力下-----芯片在镀金底座上轻轻揉动磨擦，擦去不稳定氧化层----接触面间硅与金熔化----冷却到金-硅共熔点(363℃)时，形成以晶粒形式互相结合的机械混合物-金硅共晶。 共晶焊方法 底座(或引线框)放在加热器上--加热至400--420℃左右，---镊子将硅芯片与镀金层作相对摩擦，形成共晶焊接。 优点：装置简单、灵活性大--不同尺寸的芯片； 缺点：焊接精度和一致性差、芯片表面易被镊子划伤。 2）超声擦动焊接 焊刀通过真空泵吸住芯片--一定压力下以45-60kHz的超声频率与加热到380℃-400℃的镀金底座相对擦动，形成共晶焊接。 1）手动焊接 焊刀: 碳化钨硬质合金 (耐磨、耐高温性好) 优点：焊接一致性好，焊接速度快(小于0．5秒)，焊接位置 精确，特别适合中、小功率器件芯片与底座焊接； 尺寸较大芯片(2x2mm2以上)宜用机械振动或电磁振动的共晶焊，焊接时间和振动幅度也要大一些。 金－硅共晶焊质量控制 1）底座焊区镀金层的要求： 厚薄、致密程度及能否耐焊接时的高温---1x1mm芯片， 需2—3．5μm厚的致密镀金层； 芯片背面预先蒸发一层金，以提高焊接性 2）焊接温度： 考虑金硅杂质含量、热量传递条件，焊接温度为400℃－420℃----不宜超过450℃； 焊接导热性较差的外壳(如陶瓷外壳)或热容量较大的基板，焊接温度要适当提高，外壳的预热时间也要长些。 3） 压力 减少表面不平造成的空隙的影响，防止虚焊；要求芯片背面与基板焊接区接触面积达80％以上。 避免损伤芯片；压力不使硅片碎裂为宜，一般压力在200g以内。 4）保护气氛 410℃以上焊接，芯片表面和基板焊接区表面将氧化； 氮气(85％)和氢气(15％)混合气氛中焊接；氮气防止氧化，而氢气能对已氧化的表面起强烈的还原。 1）铝丝-金膜键合时，因摩擦系数小，丝与膜长时间相互滑动摩擦，中心部位有与超声振动方向平行的流动，而其外侧有垂直方向的流动。特性中第一阶段长而第二阶段短。 2）铝丝-铝膜键合时，摩擦系数大，滑动摩擦很快停止。中心未连接，而只在边缘发生连接。流动与超声方向垂直。变形的第一阶段很短，而第二阶段长。 键合界面 键合强度与丝的变形程度的关系 1）随着变形幅度的增加，连接的强度增加；丝最小截面减 小，丝的强度降低。 2）临界变形幅度—断裂位置变化（由焊点处---丝的缩颈处） 3）当劈刀落下对丝有冲击时，超声尚未作用，不会产生连接。 这部分变形对连接无贡献，总强度降低—控制劈刀下落力。 超声压接强度的影响因素-焊后加热 键合力：42gf 时间：0.1s 功率：可变 加热：150°C，30min 焊后加热使界面的金 属之间进一步扩散， 接头强度提高； 同时也说明，在超声 压接时所形成的扩散 是不充分的。 超声压接强度的影响因素-焊后加热时间 键合力：42gf 时间：0.1s 功率：可变 加热：150°C 加热超过30min后， 强度不再增加 --以较小的超声功率或时间键合，然后通过加热使强度提高（因变形幅度较小，颈缩小，丝强度降低较小） 1.5 超声-热压焊 1）超声波焊： ?? 超声机械去膜，有效连接面积大、温度低，对芯片的热 影响小---但金属之间的扩散不足；加大超声功率可 能损坏芯片；---楔焊过程有方向性，降低效率 2）热压焊： ?? 温度高，有利于金属扩散 ?? 去膜不充分，连接强度低 ?? 球焊无方向性，提高生产效率 3）超声－热压焊： 超声焊基础上，衬底加热 (一般150℃)，CouCoulas1970 年发现加热可使焊点处的金属流动性增强—防止超声焊时 的应变硬化---利于接触界面增大和焊点的快速键合---提 高键合强度。 超声热压接的优势 要达到规定强度，超声热压接的时间和温度都比热压接小得多。 超声压接一般需要3μm以上的振幅和约1s的时间， 超声热压接只需要其1/10的振幅和1/20的时间。 超声热压接的界面 超声热压接机械去膜更为充分，金属的扩散在整个界面上进行---首先在广泛的接触面上分散地形成了扩散的核心---然后在超声振动方向上形成合金层，并逐渐生长---最终，合金层扩及整个接触面。 合金元素对超声热压接性能的影响 合金元素的作用：便于铝丝的加工；提高铝丝强度；