1-半导体基础知识(新)要点.ppt

第一章 常用半导体器件;第一章 常用半导体器件;§1 半导体基础知识; 根据材料导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。;? 半导体材料; 当半导体受到光照时，导电能力大幅度增强，制成的光敏二极管可以用于光敏控制。;3.半导体的掺杂性 (Doping impuritive);纯净的且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。 纯度：大于99.9999%，“六个9”;1. 本征半导体的原子结构和共价键;2. 本征激发;外电场作用下空穴导电过程：;1. 本征半导体中有两种载流子; 载流子的复合:;ni ：自由电子的浓度; 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 (impurity semiconductor);1. N 型半导体(Negative 负）;载流子;2. P 型半导体（ Positive 正）;受主电离;漂移电流;扩散电流; 本征半导体、杂质半导体;－;1 PN结形成;2. PN结特点:;二. PN结的单向导电性;2. 反向偏置的PN结; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;由半导体物理可推出： PN结方程; 反偏时：; 反向击穿时的电压值称为反向击穿电压UBR;五、PN 结的电容效应;问题;§2 半导体二极管; 一、二极管的组成; 一、二极管的组成; 二、二极管的伏安特性及电流方程;从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性;三、 二极管的交、直流电阻;1.直流电阻rD;例：右图可用于测量二极管的直流电阻RD 。当图中电源电压E加倍时，RD会（ ）。;2. 二极管的交流电阻rd;ID;理想 二极管;三种模型的计算精度比较;2. 微变等效电路;四、二极管的主要参数; 利用二极管的单向导电性，相当于一个受外加电压极性控制的开关。;例1, 图示电路中，设D导通时正向压降为 0.7V，求流过二极管中的电流 ID 。;例2，(填空题)如图所示电路中，D1～D3为理想二极管， A、B、C白炽灯泡功率相同，其中最亮的灯是 ___ 。 ;例3．试判断图中二极管是导通还是截止？并求出AB两端电压VAB 。设二极管为理想二极管。;例4，或门电路;D;限幅电路;D1; 由特殊工艺制造专门工作在反向击穿状态下的二极管称为稳压二极管。;2. 稳压二极管的伏安特性曲线;1）稳定电压VZ ;4）最大允许耗散功率PZM;4. 典型稳压管稳压电路;①当IZmin＝0 ,且RL开路;例1.图示电路中设R1 = RL = 500? , DZ 的击穿电压VZ = 6V ; ;例2. 设VZ =5V；PZM =1/4W；R =1K?。;解：B) 正常稳压时IZ ＞0 , 必须满足;稳压二极管的串并联等效;例3, 设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V, 求图1、图2电路的输出电压 VO1 = ____ ; VO2 = ____ 。 ?????????????????????????????????????????;§1.3 晶体三极管;晶体三极管有两大类型：;双极型晶体管的几种常见外形 （a）小功率管 （b）小功率管 （c）中功率管 （d）大功率管 ;N;NPN管;NPN管;BJT的放大作用，是本门课程讨论的重点;1、BJT内部载流子的运动;N+;N+;（3）集电结加反向电压，漂移运动形成iC;因：;N+;N+;N+;N+; 与 的关系：; 直流放大系数（忽略ICBO）;3、BJT的共射电流放大系数; 描述三极管的各极直流电流与电压关系的曲线（伏安特性曲线）; 三极管的三种组态;1. 共射输入特性曲线;2. 共射输出特性曲线;放;（2）饱和区;（3）截止区;1.3.3 晶体管的共射特性曲线; 温???升高，输入特性曲线向左移;1.3.4 BJT的主要参数;1.3.4 BJT的主要参数; 集电极最大允许电流ICM;1.3.4 BJT的主要参数;晶体三极管的选用的一般原则：;BJT工作状态分析（补）;BJT工作状态分析（补）; ;例：在电子设备中测得某只放大管三个管脚对机壳的电压如图所示。试判断该管管脚对应的电极，该管的类型以及制造该管的材料。;1.4 场效应管;N沟道;1. 结构（以N沟道JFET为例）;1. 结构（以N沟道JFET为例）;2. 工作原理（以N沟道JFET为