的第一性原理研究.PDFVIP

物 理 学 报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 3 (2013) 037101 Mn 高掺杂浓度对 ZnO 禁带宽度和吸收光谱影响 的第一性原理研究* 侯清玉1)? 董红英2)? 迎春1) 马文3) 1) ( 内蒙古工业大学理学院物理系, 呼和浩特 010051 ) 2) ( 内蒙古工业大学化工学院, 呼和浩特 010051 ) 3) ( 内蒙古工业大学材料学院, 呼和浩特 010051 ) ( 2012 年 5 月 13 日收到; 2012 年 9 月 7 日收到修改稿 ) 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了未掺杂与不同浓度的 Mn 原子取代 Zn 原 子的三种 Zn1?xMnxO 超胞模型, 分别对模型进行了几何结构优化、态密度分布、能带分布和吸收光谱的计算. 结果 表明: 电子非自旋极化处理的条件下, Mn 掺杂浓度越小, ZnO 形成能越小, 掺杂越容易, 晶体结构越稳定; Mn 的掺入 使得 ZnO 体系的杂质能带和导带发生简并化, 并且导带底和价带底同时向低能方向移动, 掺杂后的导带比价带下降 得少导致禁带宽度变宽, ZnO 吸收光谱明显出现蓝移现象, 计算结果和实验结果相一致. 同时, 电子自旋极化处理的 条件下, 体系有磁性, 吸收光谱发生红移现象. 计算结果与相关实验结果相符合. 关键词: Mn 高掺杂 ZnO, 电子结构, 吸收光谱, 第一性原理 PACS: 71.15.Dx 78.20.Bh DOI: 10.7498/aps.62.037101 影响. 结果表明, 掺杂后 ZnO 的禁带宽度均变宽, 吸 1 引 言 收光谱均有蓝移现象. Shinde 等 [9] 实验研究掺杂 Mn 原子摩尔分数在 5%和电子自旋极化处理的条 氧化锌 (ZnO) 作为直接禁带半导体材料, 室温 件下, 对 ZnO 吸收光谱的影响. 结果表明, ZnO 的禁 下禁带宽度为 3.37 eV, 激子束缚能为 60 meV, 具有 带宽度变窄, 吸收光谱有红移现象. 在理论计算上 很好的化学稳定性, 在光电材料方面一直受到国内 用第一性原理研究 Mn 掺杂对 ZnO 材料的影响也 ? 外学术界的广泛关注 [1 5]. 进行了广泛的报道, Yun 等 [10] 用第一性原理研究 目前, 在实验上 Mn 掺杂对 ZnO 薄膜吸收光 不同金属 (Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Ru, Pd 和 Ag) 分 谱的影响进行了广泛的研究, Mera 等 [6] 实验研究 别掺杂对 ZnO 磁性的影响. 结果表明, ZnO 中掺杂 ZnO 中掺杂 Mn 原子摩尔分数在 10%和氧空位以 Mn 原子后磁矩最大, 能达到 4.93 μB. Mounkachi 等 及