【2017年整理】第4章 智能传感器的集成技术.pptVIP

Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 带有片上有源电路的电镀环陀螺的制造过程 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3）封装：提供合适的散热和引线连接条件，如带窗口的ROM。 4）测试 §4.2.2 集成电路电阻器 制作工艺：硅衬底材料（N－Si） 二氧化硅层 形成制作电阻的图形 形成电阻器。 ； 通常用符号 表示，称为薄层电阻，单 位： 。 §4.2.3 集成电路电容器 硅衬底材料 二氧化硅层 形成所需的窗 口 形成 区→集成MOS电容器。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 集成电阻器 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. §4.2.4 电感的制造 用于测量数据的无线传递，能量的无线发送，微执行器的电磁驱动。 制造方法： 1） 在铜膜上制作电感掩膜，然后在腐蚀液中进行腐蚀； 2） 利用电感掩膜在衬底上淀积活化层，接着在活化层上电镀厚铜 层。 上述两种方法只能制作微型电感。 3）利用光刻胶材料制作电感模具，在模具中电镀生长铜线圈层，该 方法可制作多层电感线圈。 制造过程：衬底（不锈钢膜片） 基底 基片 再光刻，形成线圈模具 线圈 形成隔离层、引线孔 制造多层。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. §4.2.5 双极性晶体管 双极性晶体管的制造过程比较复杂，它总共包括：薄膜形成6次；图 形曝光6次；刻蚀4次；离子注入4次，共分6步完成制作过程。 IC中的双极晶体管大多是N－P－N型。 1）形成埋层，减少集电极串联电阻； 2）生长N型外延层，它的厚度和掺杂浓度决定于工作电压； 3）形成横向氧化物隔离区，将发射区与集电区隔开； 4）形成基区，基区与发射区位置比较接近； 5）形成发射区； 6）用金属化工艺形成基极、发射极、集电极引出电极。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 双极晶体管制造过程截面图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. §4.3 微机械工艺的主要技术 集成电