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【2017年整理】第二章 模拟电路常用元器件
第2章 模拟电路常用元器件 2.1 普通半导体二极管 有一种物质，其导电性能介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、砷化镓等，当这些物质原有特征未改变时被称为本征半导体。 它们的导电能力都很弱，并与环境温度、光强有很大关系。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.4.2主要参数 1.静态参数 （1）开启电压UGS（th）：UGS（th）是uDS为一常数（如10V）时，使iD大于零的最小︱uGS︱值。手册中给出的是在ID为规定的微小电流（如5μA）时的uGS。UGS（th）是增强型MOS管的参数。 （2）夹断电压UGS（off）：与开启电压相类似，UGS（off）是uDS为一常数（如10V）时，使iD大于零的最小uGS值。手册中给出的是在ID为规定的微小电流（如5μA）时的uGS。UGS（th）是JFET和耗尽型MOS管的参数。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （3）饱和漏极电流IDSS：在uGS=0情况下，当uDS＞︱UGS（off︱时的漏极电流。 （4）直流输入电阻RGS（DC）：RGS（DC）等于栅-源电压与栅极电流之比。JFET的RGS（DC）大于107Ω，而MOS管的RGS（DC）大于109Ω。手册中一般只给出栅极电流的大小。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.动态参数 （1）低频跨导gm：gm是在uDS一定的情况下，iD的微小变化△iD与引起这个变化的uGS的微小变化△uGS的比值。 gm反映了uGS对iD控制作用的强弱，是用来表征FET放大能力的一个重要参数，单位与导纳单位一样。一般在0.1~10mS范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。值得注意的是，gm与FET的工作状态密切相关，在FET不同的工作点上有不同的gm值。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （2）极间电容：FET的三个极之间均存在极间电容。通常，栅-源电容CGS和栅-漏电容CGD约为1~3pF，漏-源电容CDS约为0.1~1Pf。虽然都很小，但在高频情况下对电路的影响可能很大。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （5）温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化量，即α=ΔUZ/ΔT。稳压电压小于4V的管子具有负温度系数，即温度升高时稳定电压值下降；稳压电压大于7V的管子具有正温度系数，即温度升高时稳定电压值上升；而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数非常小，近似为零。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 由于稳压管的反向电流小于IZmin时不稳压，大于IZmax时会因超过额定功耗而损坏，所以在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，从而保证稳压管正常工作，故称这个电阻为限流电阻。只有在限流电阻取值合适时，稳压管才能安全地工作在稳压状态。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.2.2 变容二极管 二极管结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。结电容随反向电压的增加而减少，这种效应显著的二极管称为变容二极管。不同型号的管子，其电容最大值可能是5~300pF。最大电容与最小电容之比约为5∶1。变容二极管在高频技术中
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