数字电路09CH4–1,2与非门.pptVIP

4-2-1 典型TTL与非门工作原理 第四章 补充作业题(1) 第四章 补充作业题(1) 3. 写出下列逻辑器件的噪声容限 4-2-2 其它类型TTL门电路 4-2-3 ECL集成逻辑门 4-2-4 I2L集成逻辑门 4-2-5 MOS集成逻辑门 4-6-6 接口问题 第四章 补充作业题(2) 随着TTL电路结构的改进，目前TTL电路具有7种系列， 如表4-2-1所示。见P212表4-2-6 TTL子系列 增加电路的复杂程度，比ALS系列速度更高 74AS×× 使用肖特基器件减小器件的几何结构 使用肖特基器件，减小器件的几何结构 74ALS×× 高级低功耗肖特基TTL 使用肖特基器件，减小电阻，靠增加功耗来提高速度 74S×× 肖特基TTL 使用肖特基器件，在输出级增加二极管电阻网络 74LS×× 低功耗肖特基TTL 减小内电阻，输出级使用达林顿结构。已很少使用 74F×× 高速TTL 内电阻增加，使得功率减小。已很少使用 74L×× 低功耗TTL 最早的TTL电路 74×× 标准TTL 说明 器件名 TTL子系列 ECL“或/或非”门电路 ECL门的主要优缺点 ECL“或/或非”门电路 输入级 输出级 同时实现或/或非逻辑功能，为非饱和型电路。 基准电源--为T4管提供参考电压VBB，选定VBB = -1.2V。 逻 辑 符 号 逻 辑 表 达 式 ? 优点 1. 开关速度高 2. 逻辑功能强 3. 负载能力强 ? 缺点 1. 功耗较大 2. 抗干扰能力差： 逻辑摆幅为0.8V左右，噪声容限VN一般约300mV。 互补输出端“或/或非” ，且采用射极开路形式，实现输出变量的“线或”操作。 ECL“或/或非”门电路 I2 L基本单元电路 I2 L门电路 I2 L的主要优缺点 I2 L基本单元电路 ? 电路的组成 射极加正电压VE，构成恒流源I0。 I0 多集电极晶体管T2、C1、C2、C3之间相互隔离。 T2的驱动电流是由T1射极注入的，故有注入逻辑。 ? 工作原理 1. 当VA = 0.1V低电平时，T2截止，I0从输入端A流出，C1、C2和C3输出高电平。 2. 当A开路（相当于输入高电平）时，I0流入T2的基极， T2饱和导通，C1、C2和C3输出低电平。 逻辑符号 A--输入 C1、C2和C3--输出 电路的任何一个输出与输入之间都是“非”逻辑关系。 电路可简化为： I2 L门电路 ? “与”门 线与 逻辑功能： F=A?B ? “与或非”门 VE用输入变量来代替。 逻辑功能： I2 L的主要优缺点 ? 优点 1. 集成度高 2. 功耗小 3. 电源电压范围宽 4. 品质因素最佳 5. 生产工艺简单 电流在1nA～1mA范围内均能正常工作。 I2L的品质因数只有（0.1～1）pJ/门。 ? 缺点 1. 开关速度低 2. 噪声容限低 I2L的逻辑摆幅仅700mV左右，比ECL还低，但其内部噪声小，因此电路能正常工作。 3. 多块一起使用时，由于各管子输入特性的离散性，基极电流分配会出现不均的现象，严重时电路无法正常工作。 M=P（功率）·tpd（速度）表示门电路性能的优劣，单位是皮焦(pJ)。 NMOS反相器 NMOS门电路 CMOS门电路 NMOS反相器 ? MOS管的开关特性 数字逻辑电路中的MOS管均是增强型MOS管，它具有以下特点： 当|UGS||UT| 时，管子导通，导通电阻很小，相当开关闭合。 当|UGS||UT| 时，管子截止，相当于开关断开。 ? NMOS反相器 设电源电压VDD = 10V，开启电压VT1 = VT2 = 2V。 1. A输入高电平VIH = 8V 2. A输入低电平V IL = 0.3V ? 电路执行逻辑非功能 工作管 负载管 T1、T2均导通，输出为低电平VOL ≈0.3V。 T1截止T2导通，电路输出高电平VOH = VDD - VT2 = 8V。 NMOS门电路 ? NMOS与非门 工作管 串联 负载管 工作原理： T1和T2都导通，输出低电平。 2. 当输出端有一个为低电平时， 与低电平相连的驱动管就截止，输出高电平。 电路 “与非”逻辑功能： 注： 增加扇入，只增加串联驱动管的个数，但扇入不宜过多，一般不超过3。 1 1 通 通 0 1. 当两个输入端A和B均为高电平时， 0 1 止 通 1 CMOS电路 ? CMOS反相