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第04章 光伏探测器 第04章 光伏探测器 光电二极管噪声等效功率计算 光电特性 伏安特性 伏安特性 光谱特性 PIN光电二极管实例： 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 例1：用光电耦合器隔离的高压稳压电路 例2. 计算机系统中终端设备 与主机的隔离运行 4.3 光伏探测器组合器件 高压区 低压区 光 4.3.5光电耦合器 大型计算机主机 用户终端设备 光 4.3.5光电耦合器 总 结： 4.3.1半导体色敏感器件 4.3.2阵列式光电器件 4.3.3象限式光电器件 4.3.4光电位置探测器 4.3.5光电耦合器 4.4 光伏探测器的偏置电路 －－为使器件正常工作，提供合适的电流或者电压 T R b +UCC c R 偏置电路: 例如： 意义： 1. 提高探测灵敏度 2. 提高频率响应 3. 降低噪声 －－偏置电压 －－偏置电阻 反向偏置电路 自偏置电路 零伏偏置电路 4.4 光伏探测器的偏置电路 4.4.1自偏置电路 4.4 光伏探测器的偏置电路 1．短路或线性电流放大区 2．空载电压输出区 3．功率放大区 4.4 光伏探测器的偏置电路 光电池自偏置电路 4.4.1自偏置电路 1．短路或线性电流放大区 RL0=0 (运放虚短) 放大器的输入电阻为： ri =0～10Ω 线性放大区：线性好、输出光电流大，暗电流近似为零、信噪比好，适合弱光信号检测。 4.4 光伏探测器的偏置电路 4.4.1自偏置电路 2．空载电压输出区 RL～1MΩ 光电池处于接近开路状态 光照，输出电压从 0跳跃到0.45～0.6V 空载电压输出区：具有很高的光电转换灵敏度，不需偏置电源，适合于开关或控制电路 4.4 光伏探测器的偏置电路 4.4.1自偏置电路 4.4.2零伏偏置电路 两种零伏偏置电路： 0 自偏置：负载电阻为零 反偏置：反偏压很小或为零 4.4 光伏探测器的偏置电路 1．零伏偏置电路特点 中远红外波段光伏探测器： －－窄禁带（Eg很小），受热激发影响较 大，反向偏压不能大(一般为几百毫伏至一点 几伏) －－零伏偏置或接近于零伏偏置。 质量好的光伏探测器： 零伏偏置，1／f 噪声最小，暗电流为零 －－较高的信噪比。 4.4.2零伏偏置电路 2．零伏偏置电路实例 例1：自偏置_负载电阻为零 例2：反偏置_反偏压为零 4.4.2零伏偏置电路 4.4.3反向偏置电路 反向偏置电路特点： －－灵敏度、频带宽度和光电变换线性范围 4.4 光伏探测器的偏置电路 反向偏置电路 4.4 光伏探测器的偏置电路 为了分析问题方便，将第三象限特性曲线旋转到第一象限 与晶体三极管输出曲线类似 1.基本反向偏置电路 4.4.3反向偏置电路 电路图： 回路方程： U(I)为光电二极管的端电压 Ub为偏置电压 负载电阻上的输出信号： 4.2 常用光伏探测器 4.2.2 硅光电二极管 结构： 掺杂浓度较低； 电阻率较高； 结区面积小； 通常多工作于反偏置状态； 结电容小，频率特性好； 光电流比光电池小得多，一般多在微安级 比较：光电二极管与光电池 表4－2和表4－1 （Photodiode，简称PD） 4.2 常用光伏探测器 4.2.3 硅光电三极管 －－又称为光电晶体管（Phototransistor，简称PT） 光电三极管在电子线路中的符号 4.2 常用光伏探测器 4.2.3 硅光电三极管 原理性结构图： 又称为光电晶体管（Phototransistor，简称PT） 光电三极管的结构和普通晶体管类似，但它的外壳留有光窗 4.2 常用光伏探测器 4.2.3 硅光电三极管 原理图： 又称为光电晶体管（Phototransistor，简称PT） NPN光电三极管可等效为一个硅光电二极管和一个普通晶体管组合而成。 4.2 常用光伏探测器 4.2.3 硅光电三极管 比较：光电三极管与光电二极管 表4－3和表4－2 硅光电二