西工大cmos实验报告七.docVIP

实验7 带隙基准电路原理与设计 本实验将采用的参考电路原理图如下： 实验内容： 仿真用bipolar实现的二极管的温度系数； 参考右图所示，可得到仿真结果如下所示： 由仿真结果可以得到：二极管的温度系数为：。 参照原理图，令VREF温度系数为0，计算电阻R0/R1、输出VREF ； 利用公式，欲使温度系数为0，则应其对温度求导等于0。 由（1）仿真结果可知：，且有，m=1，n=8 带入式，即可求得R0/R1=10.5 因为上面的式子是在的条件下计算得到的，且知， 带入式子，可得出。 设IREF为1uA，计算R0、R1； （电阻可以用串并联实现），电阻模型rrpoly2，2Kohm/方块，需采用实例化实现. 4.仿真Vref随电源电压VDD（0-5V） 的变化曲线，给出电路工作良好的VDD范围； 仿真结果如下图所示： 由仿真结果可观察得到：电路工作良好的VDD范围为2V-5V。 仿真Vref随温度（-40~120）的变化曲线，调节电阻值使电压随温度变化较小（小于5mV），计算温度漂移系数XX ppm/℃ * 扫描结果如下： 由仿真结果可知：当时，电压随温度变化最小。 则当电阻时，电压随温度变化的仿真图如下所示： 从.lis文件中可得到vmax= 1.3179E+00 ，vmin= 1.3170E+00 可求得此时的温度漂移系数： 附录：SP源文件 仿真用bipolar实现的二极管的温度系数 --------------------------------------------------------------------- .2012303527 *************new MODEL************************ .protect .lib .\HSPICE.LIB TT .lib .\HSPICE.LIB TT_BIP .lib .\HSPICE.LIB TT_RES .unprotect *************netlist************************ q2 gnd gnd vbe pnp5 M=1 i0 vdd vbe 1u vvdd vdd 0 5 vgnd gnd 0 0 .DC temp -40 125 0.1 .probe v(vbe) .end --------------------------------------------------------------------- 4.仿真Vref随电源电压VDD（0-5V） 的变化曲线，给出电路工作良好的VDD范围； --------------------------------------------------------------------- .2012303527 *************new MODEL************************ .protect .lib .\HSPICE.LIB TT .lib .\HSPICE.LIB TT_BIP .lib .\HSPICE.LIB TT_RES .unprotect ********************************************** *.SUBCKT BAND_GAP_Example vdd gnd vref m0 net23 net23 vdd vdd penh L=6e-6 W=4e-6 M=1 m1 net16 net23 vdd vdd penh L=6e-6 W=4e-6 m4 vref net23 vdd vdd penh L=6e-6 W=4e-6 M=1 m2 net23 net16 net35 gnd nenh L=2e-6 W=4e-6 M=1 m3 net16 net16 net48 gnd nenh L=2e-6 W=4e-6 M=1 xr2 net42 net067 rrpoly2 l=300u W=2u xr3 net42 net067 rrpoly2 l=300u W=2u xr4 net42 net067 rrpoly2 l=300u W=2u xr0 net45 net35 rrpoly2 l=54 W=2u xr1 net067 vref rrpoly2 l=442u W=2u q2 gnd gnd net42 pnp5 M=1 q1 gnd gnd net45 pnp5 M=8 q0 gnd gnd net48 pnp5 M=1 *.ENDS *x1 v