02.5-第五节-非平衡态半导体剖析.pptxVIP

1 2 第五节：非平衡态半导体 5.1 载流子的产生与复合 5.2 过剩载流子的寿命 非平衡态：当半导体受到外界的作用，破坏了平衡条件，使得载流子浓度偏离了平衡载流子浓度的状态。 过剩载流子：比平衡态多出的这部分载流子。(非平衡载流子) 3 5.1 载流子的产生与复合 输运 产生 复合 载流子的输运过程是沿着能带的横向进行。（实空间） 载流子的产生和复合过程是沿着能带的纵向进行。（能量空间） 产生和复合的定义 4 载流子的产生  Direct R-G Center Impact Ionization 载流子产生率G： 单位时间单位体积内所产生的电子空穴对数 5 载流子复合的分类 (1) 直接复合 间接复合 复合中心复合(R-G center recombination) 从复合过程划分 载流子复合率R： 单位时间单位体积内所复合掉的电子-空穴对数 6 辐射复合 非辐射复合： 俄歇复合(Auger) 载流子复合的分类 (2) 从能量释放方式划分 从复合发生的空间位置划分 表面复合 体内复合 释放声子 （发射光子） 7 平衡态 振动沙盘中的沙粒 电子的产生率Gn0和空穴的产生率Gp0相等， Gn0=Gp0 电子的复合率Rn0和空穴的复合率Rp0相等， Rn0=Rp0 平衡态下电子和空穴的浓度与时间无关， Gn0=Gp0= Rn0=Rp0 类比 8 非平衡载流子的复合是半导体由非平衡态趋向平衡态的一种驰豫过程。 ①在热平衡情况下，由于半导体的内部作用，产生率和复合率相等，使载流子浓度维持一定。 ②当有外界作用时(如光照)，破坏了产生和复合之间的相对平衡，产生率将大于复合率，使半导体中载流子的数目增多,即产生非平衡载流子。 ③随着非平衡载流子数目的增多，复合率增大。当产生和复合这两个过程的速率相等时，非平衡载流子数目不再增加,达到稳定值。 ④在外界作用撤除以后，复合率超过产生率，结果使非平衡载流子逐渐减少，最后恢复到热平衡状态。 非平衡载流子的弛豫过程 9 非平衡载流子寿命 实验证明,非平衡载流子并不是立刻消失的，而是有个过程，即他们在导带或价带有一定的存在时间。 非平衡载流子的平均存在时间被称为非平衡载流子寿命(少数载流子寿命), 用  表示 。