片上全光纳米器件技术.PDFVIP

钱学森空间技术实验室研究通讯 片上全光纳米器件技术 路翠翠 （钱学森空间技术实验室空间技术与应用基础研究部，北京100094） 1 引言 半个多世纪以来，电子计算机中集成电路芯片的发展一直遵循摩尔定律，即 当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18 个月便会增加一 倍，性能也将提升一倍。硅基微电子芯片的特征线宽已经从 Intel 第一代处理器 的10 μm 缩小到了2011 年应用于第三代Core 处理器的22 nm ，2015 年Intel 又 研制出14 nm 处理器，目前正在研制10 nm 以下的处理器。再继续发展，处理器 的尺寸会更小，甚至接近原子尺度，挑战现有微纳加工技术的极限。摩尔定律还 面临着两个重要挑战：散热问题和隧穿效应。由于线路越细电阻越大，能量损耗 越大，散热问题难以解决；由于尺寸越小，量子隧穿效应变的显著，电子能够从 源极跳跃到漏极，芯片将因泄漏电流而不能正常工作。除此之外，电子器件由于 受到电感、电容、电阻等元件ns 量级响应时间限制，其最大运算速度为GHz 量 级，还有串扰的问题。这些挑战和问题制约着电子器件的进一步发展。克服这些 问题的一个思路是用光子作为信息载体取代电子。光子可以在自由空间传播，具 有比电子更高的运算速度，以光子为信息载体的片上全光纳米器件技术研究尤为 重要。片上全光纳米器件具有尺寸小、重量轻、低功耗、快响应、超宽带、多自 由度等优点，是解决电子器件发展瓶颈的关键，是实现下一代超高速和超宽带信 息处理技术的有力手段，在全光互联、全光计算、全光网络等方面有重要应用， 能够催生未来卫星的新型载荷。纳米尺度上对光子的操控能够激发纳米光子学与 量子光学交叉领域的特色研究和新型量子器件，对固态量子芯片的实现也具有重 要意义。 片上全光纳米器件技术涉及多方面的研究，主要包括：纳米器件的物理实现 方案；芯片材料的选择；纳米结构的参数设计；器件的微纳加工与光学测试表征 等。光子晶体作为一种周期性的人工纳米结构，其特征尺寸为光波长量级。光子 晶体特有的光子能带为片上全光纳米器件的研制提供了很好的方案。当入射光频 率处于光子带隙时，该入射光不能通过光子晶体结构；当入射光频率处于光子通 带时，能够通过光子晶体结构。另外一种用于片上全光纳米器件研究的方案是利 用表面等离激元。表面等离激元是金属和介质界面上自由电子集体振荡的电磁场 模式，可以沿着金属和介质界面传播。在垂直于界面的方向上，该模式的电场局 域在金属表面，离开金属表面呈指数衰减。由于表面等离激元能够将光场局域在 突破衍射极限的空间范围内并伴有局域场增强效应，因此在微纳光子学材料和器 件方面有重要应用。由于片上全光纳米器件包括多种类型和功能的纳米器件，我 1 钱学森空间技术实验室研究通讯 们的研究以几种核心关键器件为主，主要包括全光逻辑器件、片上波分复用和解 复用器件、可集成的纳米滤波器件和路由器件、片上单光子源等。 图1 光子芯片示意图 前期，基于表面等离激元模式和光子带隙理论，我们实现了芯片上的宽带单 向表面等离激元发射器，带宽为210 nm ，平均消光比高达30 dB，器件特征尺寸 小于 4 μm ，为全光微纳逻辑器件的研究提供了片上的光学信号源（Advanced Optical Materials 1, 792-797 (2013), 被选为同期封面）。在此基础上，进一步利 用表面等离激元带隙工程将宽带单向表面等离激元发射器与不同的表面等离激 元带隙结构级联，实现了全光逻辑鉴别器，能够对入射的不同波长实现不同的编 码 （Scientific Reports 3, 2778 (2013) ）。为了实现明显的慢光效应，为研制光子 缓存器和调制器奠定基础，构建了具有超大三阶非线性光学效应的表面等离激元 超材料分子结构，实现了超快可调的感应透明现象（Advanced Optical Materials 2, 1115-1118 (2014)，被选为同期封面）和慢光效应（Light: Science Applications 4, e302 (2015)，被National Science Review 报道）。这些研究为研制全光微