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孙 莉等：He+辐照对非晶碳氢薄膜表面硬度的影响 文章编号：1001—9731(2013)增刊(I)一0067—04 He+辐照对非晶碳氢薄膜表面硬度的影响。 孙 莉1，范红玉2，李梦轲1，刘东平2，杨德明2，杨杞2，牛金海2 (1．辽宁师范大学物理与电子技术学院，辽宁大连116029； 2．大连民族学院物理与材料工程学院，辽宁大连116600) 摘 要： 在室温下，利用等离子体增强的化学气相沉 的H、D、T等反应，生成碳氢、碳氘薄膜过程中的物理 积法(PECVD)在硅衬底上制备了非晶碳氢薄膜。采和化学变化n。1。在He一轰击碳氢薄膜的过程中，H 用100keV，剂量分别为1．0×1015、5．0×1015、5．O× 原子可以在薄膜上建立活性位，He+与薄膜表面相互 1016和1．0×10”ions／cm2的He离子(He+)对非晶作用时会在薄膜表面上生成1层在结构上不同于体相 碳氢薄膜进行辐照实验。通过基于原子力显微镜 (AFM)的纳米压痕和纳米划痕技术，对He+辐照前后察了He+辐照剂量的变化对碳氢薄膜表面硬度的影 碳氢薄膜的表面硬度进行分析。结果表明，经He+辐 响。采用基于AFM的纳米压痕及划痕技术分析了薄 照后碳氢薄膜的表面硬度明显增加，并且随着He+辐 膜的表面硬度的变化，通过傅里叶变换红外光谱和拉 照剂量增加，碳氢薄膜的表面硬度呈逐渐增加的趋势。 曼光谱对辐照前后碳氢薄膜硬度变化的原因进行了分 傅里叶变换红外光谱(FT—IR)和拉曼光谱分析表明，析。 He一辐照会导致碳氢薄膜中sp2C键含量明显增加，而 2 实 验 sp3C键及H原子的含量明显降低，这可能是引起碳氢 薄膜硬度变化的主要原因。 在室温下，以(111)单晶硅为衬底，利用等离子体 关键词： 非晶碳氢薄膜；辐照；硬度；纳米压痕 增强的化学气相沉积法(PECVD)制备了碳氢薄膜，实 中图分类号：TB321 文献标识码：A 验装置如图1所示。实验以CH。为碳源，放电电压的 DOI：10．3969／j．issn．1001—9731．2013．增刊(I)．014 1 引 言 度约为1．4肚m。 非晶碳氢薄膜(a—C：Hfilm)是一类具有亚稳态 非晶结构的含氢类金刚石(DLC)薄膜材料，具有很多 玻璃电介质 优越性，如极好的力学性能、化学稳定性、光学透过性、 绥＼＼ l 高热导率、极低的真空摩擦系数等。因而在激光惯性 约束聚变(ICF)靶物理研究、医学以及光学等很多领域 ，J 有重要应用。在这些应用中，碳氢薄膜面临着高温、高 、=] J l，．1 I墨 能粒子轰击以及离子辐照等恶劣的工作环境，因此，研 ／·贯 J 究非晶碳膜的辐照损伤特性具有重要的意义ll3i。 非晶碳氢薄膜中四面体碳(sp3C)、石墨碳(sp2C) 由l 买缸装置函 lTheinstallation 和氢(H)3种主要成分的含量对碳氢薄膜的性质影响 Fig drawing 很大。王天民等研究了用高能H一束辐照类金刚石碳 将制备好的碳氢薄膜样品在室温下用He+束进行 膜[1J。研究表明，高能H一束辐照主要表现在对弱键 合的刻蚀或破坏作用上。这种作用使膜层在某种程度 上保持甚至超过原膜的光电性能。Atsumi等研究了×1016和1．0×101 中子辐照后碳材料中H原子的滞留情况∽j。在室温 离子注入碳膜的深度约为590nm。 下用400keV的N一离子辐照碳氢薄膜会导致薄膜中 采用基于原子力显微镜(AFM，美国，veeco， 的H损失口]。Jaco