电力电子学-第三章精要.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET * 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET 是否 可控 驱动 信号 额定电压 额定电流 工作 频率 饱和 压降 BJT 全控 正电流 较大 中 小 P-MOSFET 全控 正电压 较小 高 大 * 第二章 半导体电力开关器件 2.1 电力二极管 2.2 双极结型电力晶体管BJT 2.3 晶闸管及其派生器件 2.4 门极可关断晶闸管GTO 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET 2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT 2.7 MOS控制晶闸管MCT和集成门极换流晶闸管IGCT 2.8 半导体电力开关模块和功率集成电路 PIC 2.9 本章小结 * 2.6.1 工作原理 2.6.2 静态特性 2.6.3 擎住效应 2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT * 2.6.1 工作原理 P-MOSFET IGBT * IGBT比MOSFET多一层P+注入区，形成了一个大面积的P+N结，因此通流能力很强。 等效电路 符号 IGBT是GTR与MOS