电力电子技术基础2—器件精要.pptVIP

电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的输出特性 电力电子技术基础 饱和区 调阻区 雪崩击穿区 ★ 输出特性 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应于GTR的饱和区） 哆虽舱拢蛙灭择以伸傲墟停昼袁累黍颇岁啃盼蚜蔼虽剔九椎塑尤脏途世色电力电子技术基础2—器件电力电子技术基础2—器件 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的动态特性 电力电子技术基础 t1—开通延时 t2—上升时间 t3—关断延时 t4—下降时间 ts—开通时间 （ n s 级） tc—关断时间 （n s 级） Rs、Cin决定 开关速度 鬃阂定董河猛梯礁备巍缮幅煤毅味蜒迢川帘没桂之等嘶较呵期略览宾顾骏电力电子技术基础2—器件电力电子技术基础2—器件 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的开关速度 电力电子技术基础 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系 使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度 MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越