电子与电路第4章精要.ppt

3. 场效应管与晶体管的比较 导电方式 场效应管：只有一种载流子参与导电。 三极管：两种载流子参与导电。 控制方式 场效应管: uGS 控制iD?电压控制元件。 三极管：iB 控制iC?电流控制元件。 输入电阻 场效应管: RGS 很大，109以上。 三极管： Ri 很小。 温度稳定性 场效应管：依靠多子导电（JFET），稳定性好。 三极管：存在少子导电，稳定性差。 管脚互换 场效应管: s与d可以互换。 三极管： c与e互换?倒置工作状态。 FET可作压控电阻。 3. 场效应管与晶体管的比较 * * * * * * * * * * * * * * * * ③ 集电极最大允许电流ICM 集电极电流如果超过ICM，晶体管的放大性能就要下降甚至可能损坏。 PCM、U(BR)CEO和ICM三个极限参数，决定了晶体管的安全工作区。 ⑷ 频率参数 用来评价晶体管高频放大性能的参数。 ① 共发射极截止频率 晶体管共射短路电流放大系数 随信号频率升高而下降，如图所示。 下降到低频时的0.707倍时f 的值 β f fT 104 105 106 107 108 10 100 1000 1 β0 0.707β0 fβ β的频率特性 ② 特征频率fT 下降到