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红光OLED空穴注入层2-TNATA工艺及其性能研究
444 西安理工大学学报 JournalofXi’anUniversityofTechnology(2013)Vo1．29No．4
文章编号：1006-4710(2013)04-0444436
红光 OLED空穴注入层 2-TNATA工艺及其性能研究
袁进，安涛，夏艳峰
(西安理工大学 自动化与信息工程学院，陕西 西安710048)
摘要：采用真空热蒸镀的方法在高精度膜厚控制仪的监控下，对多层红光OLED空穴注入层2一
TNATA有机薄膜蒸镀工艺的条件及厚度对器件的发光性能进行实验研究。实验表明制备理想的
2-TNATA薄膜工艺条件为，基板与蒸发源距 离为24cm，束源炉蒸发孔径为 1．5mm，基片温度为
5O℃，蒸镀温度为230oC，具有空穴注入层器件较无此层器件的发光性能得到显著提高，其空穴注
入层最佳厚度为20nm。该器件在 12V电压下亮度从 1800cd／m 提高到7600cd／m ，提高了4
倍，发光效率从 1．8cd／A提高到2．6cd／A，提高了1．4倍，光谱峰值为618nm。
关键词 ：红光 OLED；空穴注入层 ；2一TNATA；工艺
中图分类号：TN383 文献标志码 ：A
TechnologyandPerformanceResearchofRedOLEDHoleInjectionLayer2-TNATA
YUANJin，ANTao，XIA Yanfeng
(FacultyofAutomationandInformationEngineering，Xi’anUniversityofTechnology，Xi’an710048，China)
Abstract：Thispaperadoptsvacuum thermalevaporationmethod，underthemonitoringofhighlyaccu—
ratefilm thicknesscontroller，themulti—layerredlightOLEDholeinjectionlayer2-TNATAorganicthin
film depositionprocessconditionsandthethicknessontheluminousperfomr ancetocarryouttheexperi—
mentalresearch．Theresuhsofexperimentsshow that：thedistancebetweenthesubstrateandtheevapo·
rationsourceis24 em；beam sourcefurnaceevaporationdiameteris1．5mm ；substratetemperatureis
50℃ ：and theevaporation temperatureis230~C forthepreparation ofthe ideal2-TNATA thinfilm
processconditions；Devicewithholeinjectionlayerthanthosewithoutthislayerluminescenceperfomr—
anceissignificantlyimproved；itsbestholeinjectionlayerthicknessis20nm．Thisdevicebrightnessun—
derthe12V voltageincreasedfrom 1800cd／m to1800cd／m ，raisedbyfourtimes；theluminousem．
ciencyrfom 1．8cd／A upto2．6cd／A，increasedby1．4times，andthespectralpeakisat618nm．
Keywords：redOLED；holeinjectionlayer；2-TNATA；technology
有机电致发光器件的相关研究初始于 19世纪 复合且要求空穴和电子注入达到平衡 J。因此，在
60年代 ，直到80年代末 OLED才蓬勃发展起来 【11。 有机电致发光器件中，有机层之间及有机层与两电
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