《数字电子技术基础第二版》2.1集成逻辑门电路.pptVIP

2.1 半导体器件的开关特性 上页 下页 后退 模拟电子 数字电子技术基础 上页 下页 返回 三极管这种在外加电压作用下，截止和饱和后的稳态模型，它反映了三极管的静态开关特性。 如果三极管只工作在截止状态，管子截止，相当于开关断开。 如果三极管只工作在饱和状态，管子饱和导通，相当于开关接通。 2.1.1 双极型三极管的开关特性 1. 开关特性 a. 三极管开关电路图 Rc Vcc RB V1 1V V2 2V uO 10k? + － 1k? uI + － S 5V b. 三极管开关电路波形图 o o o uo iC ICS 0.9ICS 0.1ICS VCC ton toff V2 V1 t t t uI a) 开关时间 延迟时间td ——从uI上跳开始到iC上升到0.1ICS所需要的时间 上升时间tr ——iC从0.1ICS上升到0.9ICS的时间 接通时间ton ——td与tr之和 o o o uo iC ICS 0.9ICS 0.1ICS VCC ton toff V2 V1 t t t uI 存储时间tS——iC从ICS下降到0.9ICS的时间 关断时间toff ——ts与tf之和 下降时间tf——iC从0.9ICS下降到0.1ICS的时间 o o o uo iC ICS 0.9ICS 0.1ICS VCC ton toff V2 V1 t t t uI 开关时间——三极管的接通时间ton、关断时间toff，统称为开关时间。 开关时间越短，开关速度也就越高。 管子的结构工艺，外加输入电压的极性及大小 。 b) 影响开关时间的因素 c) 提高开关速度的途径 制造开关时间较小的管子，设计合理的外电路。 通常toff ton、ts tf。因此控制三极管的饱和深度，减小ts是缩短开关时间、提高开关速度的一个主要途径。 给三极管的集电结并联一个肖特基二极管(高速、低压降)，可以限制三极管的饱和深度，从而使开断时间大大缩短。 将三极管和肖特基二极管制作在一起，构成肖特基晶体管，可以提高电路的开关速度。 (a) 电路图； (b) 电路符号 2. 三极管反相器电路 RB1 uo 6.8k? + － (A) (L) uI + － RC 330? RB2 22k? VBB 5V +VCC (+5V) 反相器电路 工作原理： a. 当uI高电平时 晶体管饱和导通 输出uO?0 b. 当uI低电平时 晶体管截止 输出uO?VCC BJT工作状态 uI uO 低 截止 高 高 饱和 低 非门电平表 RB1 uo 6.8k? + － (A) (L) uI + － RC 330? RB2 22k? VBB 5V +VCC (+5V) 反相器电路 反相器的输出与输入关系可表示为 2.1.2 场效应管的开关特性 1. MOS场效应管(MOSFET)的开关特性 场效应管（FET）也叫单极型晶体管。按结构分为两大类型，结型场效应管和绝缘栅场效应管。 绝缘栅场效应管也称为MOS场效应管。 MOS场效应管又有增强型和耗尽型两种，每一种又有N沟道和P沟道二种。 数字电路中普遍采用增强型的MOSFET。 当漏源电压uDS较高时： 当uGS大于UT，MOSFET工作在变阻状态，电压uDS较小，管子相当于开关接通。 栅源电压uGS小于开启电压UT时， iD=0， MOSFET处于截止状态，管子相当于开关断开。 增强型NMOSFET的工作原理： g s d uGS uDS iD NMOSFET的开关模型 uGS UT uGS UT g s d 截止状态 uGS + _ g d s s uGS + _ g d s s 变阻状态 MOS场效应管的开关速度往往比双极型管低，但随着工艺的改进，集成CMOS电路的速度已和TTL电路不差上下。 在NMOS增强型管的栅极加上一个等于电源值VDD的电路最高电压，使管子可以很好导通。 如果输入uI电压允许在0V到VDD之间变化，输出电压uO的范围被限制在0V和VDD-UTN之间，输出电压达不到电源值。 结论：NMOS传输一个强逻辑0，传输弱逻辑1。 PMOS传输一个强逻辑1，传输弱逻辑0。