掺杂石墨烯的电磁屏蔽特性研究.docVIP

　　掺杂石墨烯的电磁屏蔽特性研究 掺杂石墨烯的电磁屏蔽特性研究 引言 　　石墨烯是一种由sp2杂化碳原子组成的二维碳材料，独特的六角晶格结构赋予其独特的光电、力学性能。理想单层石墨烯的禁带宽度为零，载流子迁移速率高达200 000 cm2/（Vs），在可见及近红外波段的透过率约为97.7%。这些优异性质使其可作为光学透明窗口表面的电磁屏蔽材料[1-2]。 　　目前，利用化学气相沉积（CVD）法已可实现大面积、高质量、层数可控、带隙可调石墨烯薄膜的制备。2009年Li等[3]利用CVD法在铜箔表面制备出大面积单层石墨烯，同年REina等[4]也在1～2 cm2的多晶Ni膜上利用热CVD法合成了单层至多层石墨烯，并成功转移到多种基底表面。但上述方法制备的石墨烯薄膜通常存在晶界效应及载流子浓度过低方面的不足，使其电导率还不能满足实际屏蔽需求。 　　本文以CVD法制备了单层石墨烯透明导电薄膜，分析了AuCl3掺杂对改善石墨烯的载流子浓度及电导率影响。同时，利用传输线理论建立石墨烯各向异性介质的电磁屏蔽模型，并根据具体参数对透光薄膜进行宽波段屏蔽效能计算。最后将实验结果与理论值进行比较，分析二者存在差异的原因。 　　1 AuCl3掺杂石墨烯薄膜制备 　　大面积石墨烯的制备是利用现已报道过的CVD法。反应以甲烷为碳源，选用25 mu;m厚的铜箔为基底。反应时将高温退火过的铜箔置于直径本文由.LMA）转移法：将PMMA胶均匀涂在石墨烯层表面，将基底面在150 ℃加热15 min。第一次刻蚀，将样品放入0.1 g/ml的Fe（NO3）3溶液腐蚀2 h，使Cu与石墨烯/PMMA基底分离。第二次刻蚀，去除石墨烯表面剩余的Cu层，将石墨烯/PMMA样品放入10%HCl刻蚀液中1 h，石墨烯/PMMA将漂浮在刻蚀液表面。利用已准备好的PET基底将石墨烯/PMMA膜捞起，利用退火法或丙酮刻蚀可将石墨烯表面的PMMA去除。 　　AuCl3常用于导电高聚合物的掺杂，如果将石墨烯看作是拥有共轭pi;电子的聚合物，那么其AuCl3掺杂机理将与上述聚合物类似。将AuCl3溶解在不同的配位体溶剂中，会形成不同的离子构象，既可存在平面正方形几何结构AuCl-4离子也可存在AuCl-2。本文中利用硝基甲烷溶剂作为配位体，此时将发生以下反应 　　实验时在石墨烯层面涂覆2.510-3 mol/L的AuCl3的硝基甲烷溶液，用离心机使其旋涂均匀，干燥，最终形成AuCl3掺杂石墨烯薄膜，如图1所示。图2为AuCl3掺杂前后石墨烯的拉曼光谱图，测试时分别选择样品表面的不同区域以证明石墨烯薄膜的连续性。掺杂后石墨烯的拉曼谱[6]依然存在D峰、G峰、2D峰：D峰较掺杂前有少许提高，说明掺杂对晶格结构影响较小；G峰与2D峰的峰值比I2D/IG=1.6gt;1，石墨烯层数小于两层；同时G峰、2D峰都有相对10 cm-1的蓝移，表明AuCl3对石墨烯的掺杂类型为P型；掺杂后6天再次对样品进行表征，拉曼谱没有明显的变化。利用四探针法测量掺杂前后石墨烯的面电阻值分别为560 Omega;/□和165 Omega;/□，说明掺杂对石墨烯导电性有明显提高。 　　2石墨烯传输线理论推导 　　根据各向异性介质的传输线理论，建立石墨烯平面波作用模型[7]，如图3所示。图3平面波作用在石墨烯表面等效模型 　　以TE波为例，并将theta;等效为零来简化计算，此时V（0）=（1+Gamma;）Vi，其中反射系数Gamma;为（Y0-Yboth）/（Y0+Yboth），Yboth=Y1+Y0+Y2。根据屏蔽效能的计算公式：SE=-20lgE/Ei，TE波的屏蔽效能可以写成如下形式：T（0）=2/2+eta;0sigma;D（12）同理可证TM波与TE波结果一致。 　　3薄膜样品电磁屏蔽性能分析 　　参照GJBA 6190-2008中的屏蔽室法[12]，对尺寸大小为300 mm300 mm的AuCl3掺杂石墨烯薄膜样品进行屏蔽效能检测。在相同激励源的条件下，通过对加入可视屏蔽介质前后接收天线信号的差值进行比较，得到屏蔽材料的屏蔽效能。实验中由RS SMR微波信号源提供1～18 GHz的连续波，Agilent ESA-E频谱分析仪作为接收端，完成宽波段范围内的扫频测试。测试时需对窗口材料边缘做导电处理，其测试示意图如图6所示。 　　利用4结论 　　石墨烯的导电透光特性使其可作为光学透明窗口的导电透明材料，但目前CVD法制备的石墨烯薄膜因多晶效应等因素，其导电性无法满足屏蔽要求。本文对CVD法制备的寡层（小于2层）石墨烯进行AuCl3掺杂，增加其载流子浓度，大大改善了其导电性能，实测的面电阻降低了70%。利用传输线理论建立石墨烯各向异性介质的电磁屏蔽模型，考虑化学势对石墨烯高频波段电磁