基于太赫兹时域光谱的SBN%3aCe陶瓷介电的光调制.pdfVIP

第34卷第5期 红外与毫米波学报 V01．34．No．5 2015年10月 J．InfraredMillim．Waves 0ctober．2015 文章编号：1001—9014(2015)05—0564—06 基于太赫兹时域光谱的SBN：Ce 陶瓷介电的光调制特性 陈立伟1’3， 柴 路1’孙， 胡明列1’3， 栗岩锋1’3， 庞冬青1’3， 王清月1’3， 田 震2…， 韩家广2…， 张伟力2’3 (1．天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室，天津300072； 2．天津大学精密仪器与光电子工程学院太赫兹中心，天津300072； 3．光电信息技术教育部重点实验室，天津300072) 摘要：在室温条件下，基于太赫兹时域频谱(THz—TDs)技术研究了sBN：ce陶瓷在532nm连续激光激发下的介电 响应．在外加光场的作用下，该陶瓷的介电常数表现出良好的调制特性，介电改变量达到8．5％；同时，介电损耗增 加了15％．实验结果表明，该材料折射率的变化I△nI与外加光场强度呈现线性关系．通过建立模型，分析了sBN：ce 陶瓷的光一铁电机理，这些实验结果可以被归结为，激发的自由载流子在样品内部形成的内建电场导致的介电常数 改变．探索铁电陶瓷材料在太赫兹波段的光一铁电性质对于太赫兹波调制器件的研究具有指导意义． 关键词：太赫兹时域频谱技术；掺铈铌酸锶钡；光折变效应；自发极化 中图分类号：0433文献标识码：A Lasermodulationdielectric of ceremics SBN：Ce properties theTerahertzTime-Domain using Spectroscopy CHEN CHAI HU LI Li．Weil…， Lul，3掌， Ming—Liel…，Yan．Fen91”，PANGDong—Qin91…， WANG TIAN HAN ZHANGWei．U23 Qing—Yuel…， Zhen2…， Jia．Guan92…， L矗ser 0fPrecisionInsln删ent肌d (1．Uln出stIJaboratory，CoUege 0ptoelechD面csEn西neering，Tianjin 2．CenterforTerallenz ofPrecisionInstmrIlent锄d Waves，Couege optoelec附icsEn舀needng，Ti肌jinUmvers畸，。n肌jin300ar72，CIlina； 0f I血粕lation of of I丑boratory0ptoelectmIlicTechnologyMinistryEducation，Tianjin姗2，C¨na) 3．Key dielectric of cer啪icstothe nm room Abstract：111e SBN：Ce 532 cwlaserwas at response