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大功率整流二极管基片以可伐代钼的研究 　　摘要：本文从保证产品质量，节约资源，降低成本的角度出发，分析论?C了大功率硅整流二极管基片以可伐替代钼的可行性，通过实验得到验证，具有推广价值。 　　Abstract： From the point of guaranteeing product quality， saving resources and reducing cost， this paper analyzes and demonstrates the feasibility of using Kovar to replace molybdenum in high power silicon rectifier diode substrate. Verified by experiment， it is worth promoting. 　　关键词：硅整流；二极管；管芯基片；可伐代钼 　　Key words： Silicon rectifier；diode；core chip；replacing molybdenum with Kovar 　　中图分类号：TN111 文献标识码：A 文章编号：1006-4311（2017）04-0088-02 　　0 引言 　　自20世纪60年代大功率半导体器件研制生产以来，这类器件多以硅单晶为基础材料，利用硅单晶P-N结的单向导电特性而制成[1]。由于硅片材料硬而脆的物理性质，导致在生产过程中无法承受较大的应力，极易在硅片体内形成闷伤或者是产生碎裂现象。为避免这一情况的发生，在硅片上下各增加一块稀有金属钼制成的垫片，这种方法一直沿用至今。钼是一种昂贵的稀有金属，从降低成本、节约资源的角度考虑，人们一直在寻找一种新的金属材料来取代钼片。20世纪80年代初，就有人尝试过用铜材料来做管芯基片，凭借铜片良好的导电导热性能，通过试验取得了成功，并于1985年大批量的用于二极管的生产中。之后也有人做过以铁代钼的探索，通过反复的实践试验，证明以铁代钼的工艺也是可行的，并且还大量的用于汽车整流二极管的生产。但是铜片和铁片的热膨胀系数与硅片相差较大，在二极管工艺中替代钼片的方法，仅在一定的功率范围内是可行的[2]。 　　随着可伐合金工艺的发展，再加上其热膨胀系数与硅片相接近，以可伐合金代替钼片成了一个新的思路，借助过去的经验以及反复的试验论证，发现整流二极管的双面基片不仅可以用铜、铁来替代钼片，还可以用可伐合金来替代钼。 　　1 选用钼片做二极管管芯基片的原因 　　在传统的半导体整流二极管的生产工艺中，选用钼片做二极管管芯基片的原因，主要考虑到以下几个方面的内容： 　　1.1 金属钼与硅的线性热膨胀系数相接近 　　如表1所示，相比与其他的金属材料，钼与硅材料的线性热膨胀系数最接近，由于二极管都会存在一定的正向电压降，当整流二极管处于正常工作状态时，正向导通会产生大量的热量，钼片和硅芯片在受热的状态下会产生一定的线性热膨胀，因为两者的线性热膨胀系数相近，钼片给管芯带来的热应力较小，不会引起硅片的碎裂，对半导体器件的电性能影响也不大。 　　1.2 金属钼的硬度大 　　从表1可以看出，钼在几种金属中硬度是较大的，机械强度高，在受外力的作用时不容易发生形变，能很好的保护硅芯片。 　　1.3 良好的导热性能 　　钼片的热导率较高，导热能力较好，能很好的传递出硅芯片在正常工作中产生的热量，帮助硅芯片散热，防止二极管管芯由于温度过高而损坏。 　　1.4 优良的导电能力，可用作引出电极 　　2 可伐片代钼片的可行性分析 　　可伐合金是铁钴镍三种金属的合金，其中铁的含量为54%，镍28%，钴18%。我们将可伐合金的物理性质与表1中的各材料做个简单的对比，可伐合金的热膨胀系数是几种金属中与硅片最接近的，如果以可伐代钼，在正常工作中产生的线性热膨胀对二极管的电性能的影响是最小的；另外，可伐合金的硬度比钼片高，受力不易产生形变，能比钼片承受更大的应力，可以更好的保护硅片；可伐合金的电阻率比钼高，热导率只有钼的五分之一，导电导热性能没有钼片好，但在以可伐代钼的试验中，电流等级160A以下的整流二极管并未发现管芯过热失效的情况，正向压降也没有太大的变化。 　　这里我们做一个简单的分析，图1是整流二极管的结构图，图中A和B的大小根据管芯的功率来确定，如图1所示，硅芯片和上下两个基片不是直接夹在一起的，中间有一层铅锡层，将三层紧密的焊接在一起。同时在整流二极管的生产过程中，硅片和上下两个基片表面都会镀上镍层，通过高温退火，在表面形成一层镍的合金层，一方面提高沾锡性能，形成良好的欧姆接触层；另一方面也增加了它的导电能力。因此，可伐合金的较高的电阻率未对整流二极管的导电能力产生较大的影响。