深亚微米技术介绍-上海建桥学院.doc

上 海 建 桥 学 院 教 学 进 度 安 排 表 2011～学年第学期 周次 星期 课 程 内 容 授课方式 上课地点 作业布置 章 节 内 容 2/21 1/二 1 　 绪言 讲课 1369 　 2/28 2/二 2 　 深次微米硅制造环境要求 讲课 1369 　 　 　 　 1 制造环境与成品率关系 讲课 1369 　 　 　 　 2 洁净室.技术指标 讲课 1369 　 　 　 　 3 超纯水.质量指标 讲课 1369 　 3/6 3/二 3 4 超纯化学试剂与气体﹑指标 讲课 1369 8 　 　 　 5 晶片传输系统 讲课 1369 　 　 　 　 6 ULSZ用的硅片质量 讲课 1369 　 3/13 4/二 　 　 低K材料 讲课 1369 　 　 　 　 1 RC延迟﹑ULSI中低K材料意义 讲课 1369 　 　 　 　 2 电极化形式﹑对低K材料要求 讲课 1369 　 3/20 5/二 　 3 用于ULSI的低K材料 讲课 1369 　 　 　 　 4 PMD 讲课 1369 　 　 　 　 5 含SIO2介质 讲课 1369 　 3/27 6/二 　 6 其他低K介质 讲课 1369 8 　 　 　 7 有机低K介质 讲课 1369 　 4/3 7/二 4 　 栅（闸）极技术 讲课 1369 　 　 　 　 1 引言 讲课 1369 　 　 　 　 2 深次微米硅制程栅极 讲课 1369 　 4/10 8/二 　 3 金属硅化物 讲课 1369 　 　 　 　 　 一﹑多晶硅金属硅化物 讲课 1369 　 　 　 　 　 二﹑自对准金属硅化物 讲课 1369 　 　 　 　 　 三﹑硅化物在VLSZI中应用 讲课 1369 　 4/17 9/二 　 4 栅极结构和技术 讲课 1369 9 　 　 　 　 一﹑双多晶硅栅极 讲课 1369 　 　 　 　 　 二﹑多晶硅锗栅极 讲课 1369 　 　 　 　 　 三﹑金属栅极 讲课 1369 　 4/24 10/二 　 　 测验 1369 　 　 　 5 栅极介电层 讲课 1369 　 　 　 　 6 浅沟道隔离 讲课 1369 　 5/8 12/二 　 7 浅接面和升起式源/漏 讲课 1369 　 　 　 　 8 衬底 讲课 1369 　 　 　 5 　 铜制程 讲课 1369 　 　 　 　 1 引言 讲课 1369 　 　 　 　 2 ULSI中铜制程应用 讲课 1369 　 5/15 13/二 　 3 扩散阻挡层及制作 讲课 1369 　 　 　 　 4 铜晶种层及制作 讲课 1369 　 　 　 　 5 铜电镀 讲课 1369 　 5/22 14/二 　 6 铜蚀刻 讲课 1369 　 　 　 　 7 铜制程难题和CMP 讲课 1369 8 5/29 15/二 6 　 半导体纳米器件简介 讲课 1369 　 6/5 16/二 　 　 总复习 讲课 1369 　 6/12 17/二 　 　 考试 1369 　 注：授课方式为讲课、实验、习题课、复习、考核，不够写可续页。 任课教师：顾永明 系主任审核：吴庆彪 教学院长审核：吴庆彪 日期：2012-2-20 日期：2012-2-20 日期：2012-2-20