《模拟电子技术础》(第四版)_第5章.pptVIP

Uo ? RC RL c e R ＲＣ低通电路 (4) 全频段 步骤1：先求 　　２：再求 　　３：代入上式 关键是求Ｃ2两端的等效电阻，　　两端的等效电阻 ０ +20dB/十倍频 -20dB/十倍频 0 附加相移 附加相移为 附加相移为 ? fL2 fL2 fH fH f f 0 –90o – 180o – 270o 单级放大电路的频率特性 0 中频段 高频段 低频段 通频带 f2 f1 –100o -3dB带宽 假设: 则: 线性失真 截止和饱和失真 非线性失真 由于　超出了放大电路的通频带 －＞频率失真 输出 相比　会产生失真 现在来分别考虑C1, Ce的作用 T RC RB VCC C2 uo RL ui C1 Ce RE 考虑C1的作用 E RB Uo ? Ib ? Ui ? RC RL C1 ＲＣ高通电路 考虑Ce的作用 e RB Uo ? Ib ? Ui ? RC RL RE Ce ＲＣ高通或低通电路？ * T RC RB VCC uo RL ui 5.1.1 频率响应概述 第五章 放大电路的频率响应 耦合电容 极间电容 只讲CE 信号低频时,不能忽略耦合电容,分压 信号高频时,不能忽略极间电容,分流 幅频特性: 放大电路放大倍数的幅值随频率变化的关系 相频特性: 放大电路放大倍数的相位随频率变化的关系 US Ui Uo RS + + + _ _ _ . . . RL 放大 电路 5.1.2 RC电路的频率响应 高通电路 耦合电容 令 则 时间常数 2. 当 时, 4. 当 时, 高通电路 下限截止频率 高通电路 1. 当 时, 3. 当 时, 相频图 幅频图 低通电路 极间电容 低通电路 上限截止频率 5.1.3 波特图 高通电路： 2. 当 时, 相频特性——Ｘ：　　，　Ｙ： 幅频特性——Ｘ：　　，　Ｙ： 20dB／十倍频 1. 当 时, 3. 当 时, 多级放大： 用波特图的主要优点： 各级放大电路相频图的叠加 各级放大电路幅频图的叠加 幅频特性——拐点 fL，折线斜率20dB/十倍频 相频特性——拐点0.1 fL和10 fL，折线斜率-45度/十倍频 近似波特图 高通电路： 2：求出电路的时间常数ReqC, Req为C两端的等效电阻 3：做出频响的近似波特图 步骤1：判断电路是高通电路，还是低通电路 + - - + C R + - - + C R 高通电路 低通电路 5.2.1 晶体管的高频等效模型(交流) 晶体管结构示意图及完整的混合π模型 几十~几百pf（Je扩散电容） 2~10pf （Jc势垒电容） 晶体管混合π模型的简化 密勒等效 密勒效应: 小电容 -大电容 晶体管简化高频模型 取中频时的值 （很小可忽略） 较大 T RC RB VCC C2 uo RL ui C1 先只考虑高频时极间电容的作用 RB Uo ? Ib ? Ui ? RC RL c e 取中频时的值 RB Uo ? Ib ? Ui ? RC RL c e RB Uo ? Ib ? Ui ? RC RL c e 简化H参数交流模型(低中频段) 和简化高频模型(全频段) 1. 电阻参数完全相同 2. 两模型在低中频时等效 低中频时的电流放大系数 e ?0ib ib ic uce b c e ib ic uce b c 高频跨导 图5.2.3 的分析 5.2.2 的频率响应(求全频段的 ) Ib ? c e Ic ? 定义 e ib ic uce b c 低通 CE截止频率(上限) ０ 0 的截止频率 CE截止频率 特征频率 使　　　的频率 高频管 的截止频率 CB截止频率 的截止频率 CE截止频率 已知 令 令 ０ 1. CB高频特性好于CE, CB可做宽频带放大电路 3. 已知　　　（或　　）和　　，算出　　， 按下式求出　　： 2. 随着频率的升高，当 时, 晶体管的放大能力（　　）开始下降；当频率升高到其特征频率（　　），晶体管已不能放大． 阻容耦合放大电路的频率特性 1. 单级放大电路的频率特性 T RC RB VCC C2 uo RL ui C1 Ce RE C1,C2,Ce 视为短路, 极间电容可视为开路。 (1) 中频段 中频段的微变等效电路 E RB Uo ? Ib ? Ui ? RC RL C1,C2,Ce 不可视为短路, 极间电容可视为开路。 (2) 低频段 低频段的微变等效电路 C2 E RB Uo ? Ib ? Ui ? RC RL 这里先只考虑C2的作用 C2 E Uo ? RC RL C2 E Uo ? RC RL + -