《微电子学概论》–Chap04.ppt

第 四 章 集成电路制造工艺 集成电路设计与制造的主要流程框架 直拉单晶硅 集成电路芯片的显微照片 4.1 集成电路制造工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜 一、图形转换：光刻 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。光刻胶是对光、电子束或者x线等敏感，具有在显影液中溶解性变化的性质，同时具有耐腐蚀性的材料。光刻胶有正型和负型两种。正型光刻胶受紫外线照射，其感光的部分发生光分解反应溶于显影液，末感光的部分显影后仍然留在基片的表面。与此相反，负型光刻胶的未感光的部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍留在基片表面。 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变 正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶 负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条 光刻需要的掩模 二、几种常见的光刻方法 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式 三、超细线条光刻技术 甚远紫外线(EUV) 电子束光刻 X射线 离子束光刻 经过光刻后在光刻胶上得到的图形并不是器件的最终组成部分，光刻只是在光刻胶上形成临时图形。为了得到集成电路真正需要的图形，必须将光刻胶上的图形转移到硅片上。完成这种图形转换的方法之一就是将未被光刻胶掩蔽的部分通过选择性腐蚀去掉。 常用的腐蚀方法分为湿法刻蚀和干法刻蚀 四、刻蚀技术 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的 1. 湿法腐蚀： 利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法，用在线条较大的IC(≥3mm)； 优点：选择性好；重复性好；生产效率高；设备简单；成本低； 缺点：钻蚀严重；对图形的控制性差； 广泛应用在半导体工艺中：磨片、抛光、清洗、腐蚀； 2. 干法刻蚀 主要有溅射与离子束刻蚀、等离子刻蚀、反应离子刻蚀等。 溅射与离子束刻蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为RIE)：通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 优点：各项异性好，可以高保真的转移光刻图形； 4.2 扩散与离子注入 掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触 磷(P)、砷(As) —— N型硅 硼(B) —— P型硅 掺杂工艺：扩散、离子注入 一. 扩 散 扩散法（diffusion）是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，将杂质扩散到硅片内的一种方法。有以下两种扩散方式： 替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位： Ⅲ、Ⅴ族元素 一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙： Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级 对于杂质扩散，除了纵向扩散（向垂直硅表面方向扩散）外，还有横向扩散（向侧面扩散）。 固态源扩散：如B2O3、P2O5、BN等 利用液态源进行扩散的装置示意图 二. 离子注入 离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定.（需要进行退火处理）.。 离子注入的主要特点： 掺杂的均匀性好 温度低：小于600℃，可避免高温过程引起的缺陷。 可以精确控制杂质分布