第一章半导体基础新精要.ppt

U / V 1.2.2 二极管的伏安特性 一、正向特性 阈值电压Uth:使二极管开始导通的电压 硅管Uon=0.5V 锗管Uon=0.1V 导通电压： 硅(0.6～0.8)V (取0.7V） 锗(0.1 ～0.3)V (取0.2V） 二、反向特性 加反向电压时，反向电流很小。 I / mA 正向特性 反向击穿特性 反向特性 Uth U / V 二、反向特性 加反向电压时，反向电流很小。 I / mA 正向特性 反向击穿特性 反向特性 Uth 三、击穿特性 材料 开启电压UON （V） 导通电压 （V） 反向饱和电流（?A） 硅 ≈0.5 0.6 — 0.8 0.1 锗 ≈0.1 0.1—0.3 几十 两种不同材料构成的二极管的比较: 1.2.3 二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF 2. 最大反向工作电压UR 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由PN结 面积及散热条件决定。 二极管在使用时所允许加的最大反向电压，通常为击穿电 压的一半。 1.2.3 二极管的主要参数 3、反向电流IR 4、 最高工作频率fM 二极管未击穿时的反向电流值。 主要由PN结的结电容大小决定。超过此值，单向导电性变差。 1.2.4 半导体二极管的型号及选择 一、半导体器件型号命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分