基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工.pdfVIP

学兔兔 务l 訇 化 匝亘噩殛口 —— ；；； 基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工 MachiningforSiC substratesusedof rLED based on dua--iappingtrace optim izations 臧 跃 ，周 海 ，徐晓明 。，卓志国z。 ZANGYuel_，ZHOUHai，XUXiao．ming 。，ZHUO Zhi．guo (1．盐城工学院，盐城 224051；2．江苏大学，镇江212013；3．常州大学，常州213016) 摘 要：本文研究了基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工方法。为了实现对碳化硅衬底的高效 低损伤研磨加工，对碳化硅衬底的行星机构双面研磨轨迹进行了优化。通过选择适当的加工 参数，使工件处于摆线中间的环带部分，将有助于对工件进行均匀研磨并提高材料去除率。 实验表明：采用320号碳化硼磨料双面研磨碳化硅衬底90min后，可以获得Ra为0．579LItm ；材 料去除率达到1．53“ ／min。 关键词：双面研磨轨迹优化；碳化硅衬底；均匀性；材料去除率 中国分类号：TH162 文献标识码：A 文章编号：1009-0134(2013)05(下)一0036—03 Doi：10．3969／J．issn．1009-0134．2013．05(下)．11 0 引言 本文从优化行星机构双面研磨轨迹方面入 固体照明工程对发光二极管(LED)提出了高亮 手 ，通过选择合适 的加工参数，使工件处于摆线 度、高寿命、高稳定性的质量保障要求 。如果 中间的环带部分，提高了研磨加工的材料去除 碳化硅衬底表面有过多的应力和位错缺陷，那么 率、粗糙度、表面均匀性，并给出了试验方法， 对试验结果进行了分析。 在其表面上生长的GaN薄膜表面也会产生许多小 凸起、裂纹与空隙，这样就改变了GaN薄膜的晶格 1 试验方法及其设备 常数，导致薄膜应力的产生，直接影响薄膜厚度均匀 实验所用设 备为 兰州瑞德设 备有限公 司 性及透光性，这些因素对高亮度LED的发光效率与 的X61930B2M一6型双面研磨机 ，上 、下盘为 稳定性有很大影响 。一旦 由于研磨加工的不均匀 ①927mm×①358mm×45mm，理论上采用碳化 性而造成较深的表面损伤层，那么碳化硅衬底的表 硅盘研磨盘较好，但 由于其制造上困难且成本较 面损伤层就不能通过抛光加工得到有效地去除，所 高，所 以采用铸铁十字槽研磨盘，为了减少其因 以合理地控制研磨过程 中碳化硅衬底的表面损伤 硬度低而带来的平面度误差 ，实验前先进行修 层深度就显得非常至关重要 。双面研磨加工是 整。因碳化硅为典型的硬脆陶瓷材料 ，所 以选用 一 种 以磨粒的微小塑性切削、滚轧等形式为主体 较低的线速度进行加工 ，研磨盘转速 l2r／min， 的材料去除方式 ，由于上、下研磨盘同时作用， 气压为0．8MPa，压力调节器处于轻压状态，每批 使局部高温、高压对称作用在工件 的两个平行表 次加工25片碳化硅晶片。碳化硅晶片原始质量为 面，这样就有利于消除热变形或机械作用引发并 37