碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况的影响.pdfVIP

显徼、测量、微细加工技木与设备 M icroscope，Measurement，Microfabrication Equipment 碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况的影响 唐文栋 ，刘玉岭，宁培桓 ，田 军 (河北工业大学 微电子所 ，天津 300130) 摘要 ：阐述 了化学机械抛光 (CMP)技术在硬盘基板加工 中发挥的重要作用，介绍 了SiO 碱 性 抛光液的化学机械抛光机理以及抛光液在化学机械抛光 中发挥的重要作用。使用河北工业大学研 制的 SiO：碱性抛光液对硬盘基板表面抛光，分析研 究了抛光液 中的浓度、表面活性剂以及去 除 量对抛光后硬盘基板表面状况的影响机理。总结了硬盘基板表面粗糙度随抛光液 中的浓度、表面 活性剂及去除量的变化规律 以及抛光液的这些参数如何影响到硬盘基板的表 面状况。在总结和分 析这些规律的基础上 ，对抛光结果进行 了检测。经检测得 出，改善抛光后 的硬盘基板表面质量 (Ra=0．3926nm，R… =0．4953nm)取得 了显著效果。 关键词：硬盘基板 ；化学机械抛光；抛光液 ；粗糙度 ；波纹度 ；平整度 中图分类号 ：TN305．2；TN304．21 文献标识码 ：A 文章编号：1671—4776 (2008)10—0611—04 EffectofAlkalineSlurryon theSurface StateoftheHardDisk TangW endong，LiuYuling，NingPeihuan，TianJun (InstituteofMicroelectronics，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin300130。China) Abstract：Chemicalmechanicalpolishing (CM P)technologywhichplaysanimportantroleinthe harddisksubstrateprocessingwasdiscribed． TheCMP mechanism ofalkalineslurrywithSiO2 and theimportanceofslurryinCM Pwereintroduced．Bypolishingtheharddisksubstrateusing thealkalineslurrywithSiO2ofHebeiUniversityofTechnology，theinfluencemechanismsofthe concentrationofalkalineslurry，thesurfactantandtheremovedthicknessontheharddisk sub— stratesurfacesituationafterpolishing werestudied．Thevariation law ofthesurfaceroughness ofthe hard disk substratewith the concentration ofalkaline slurry，the surfactantand the removedthickness，andhow theseslurryparametersaffecttheharddisk substratesurfacesitua— tionweresummarized．Onthebasisofthese，thepolishingresultsweretested． Thetestshows thattheharddisksubstratesurfacequalityafterpolishing (Ra=0 ． 3926nm，R =0．4953nm) achievessignificanteffect． Ke