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第4 章 传统传感器原理及应用 ·129 · 4.4.2 磁敏电阻 磁敏电阻是一种电阻随磁场变化而变化的磁敏元件，也称 MR 元件。其工作原理是基 于磁阻效应。 1. 磁阻效应 置于磁场中的载流金属导体或半导体材料，其电阻值随磁场变化的现象，称为磁致电 阻变化效应，简称为磁阻效应。磁阻效应与材料性质、几何形状等因素有关。 在磁场中，电流的流动路径会因磁场的作用而加长，使得材料的电阻率增加。当温度 恒定时，磁阻效应与磁场强度、载流子的迁移率和几何形状之间的关系可表示为 − ρ ρ0 Δρ 2 2 2 2 kμ B [1− f (L /W )] 0.273μ B (4-87) ρ0 ρ0 式中 B——为磁感应强度； ρ——材料在磁感应强度为 B 时的电阻率； ρ ——材料在磁感应强度为 0 时的电阻率； 0 μ——载流子的迁移率； K—— 比例系数； L 、W——磁敏电阻的长(沿电流方向)和宽； f (L/ W) ——磁敏电阻的形状效应系数。 由式(4-87)可以看出，在磁场一定时，载流子的迁移率越高，其磁阻效应越明显。当材 料中仅存在一种载流子时磁阻效应几乎可以忽略，此时霍耳效应更为强烈。若在电子和空 穴都存在的材料如锑化铟(InSb)中，则磁阻效应很强。所以磁敏电阻通常选用锑化铟(InSb)、 砷化铟(InAs)、锑化镍(NiSb)等半导体材料。 磁阻效应还与磁阻材料的形状、尺寸密切相关。这种与磁阻材料的形状、尺寸有关的 磁阻效应称为磁阻效应的几何磁阻效应。 长方形磁阻器件只有在 L(长度) W(宽度) 的条件下，才表现出较高的灵敏度。长宽比 L/ W 越小，其磁阻效应也越明显。实验表明，圆盘状的磁敏电阻的磁阻效应最大。 2. 磁阻元件的主要特性 1) 灵敏度特性 － 磁阻元件的灵敏度特性是用在一定磁场强度下的电阻变化率来表示的，即磁场 电阻 特性的斜率，常用 K 表示。在计算时常用磁场强度为 0.3T(或 1T)时的磁阻元件电阻值 RB 与零磁场时的磁阻元件电阻值 R 的比值求得，即K ＝R /R 。这种情况下，一般磁阻元件的 0 B 0 灵敏度大于 2.7 。通常情况下，磁阻元件的灵敏度是非线性的，并且受温度影响较大，所以 使用时应该根据灵敏度特性进行温度补偿。 2) 磁场-电阻特性 材料不同，磁敏电阻的阻值相对变化率通常也不相同，磁敏电阻的阻值相对变化率通 常与磁场的极性无关，它只随磁场强度的增加而增加。如图 4.45 所示，在 B0.3T 时，电 阻变化率与磁感应强度B 呈平方关系，而当 B0.3T 时则呈线性关系。 ·129 · ·130 · 传感器与检测技术 R/ Ω 15 强场下呈直线特性变化 RB 1000 10 温度(25℃)