网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

半导体器件物理第3章-第2部分.pdf

  1. 1、本文档共77页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
半导体器件物理第3章-第2部分

3.4爱拜耳斯-莫尔方程 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 3.4.1工作模式和少子分布 前面指出,双极晶体管有四种工作模式,取决于发射结和集电结的偏置状况。 (1)正向有源工作模式: 0, 0 V V E C V V E T     n x 0 基区少子满足的边界条件为n 0 n e , p p 0 p B (2)反向有源工作模式: V 0,V 0 E C V V 相应的边界条件为: ,   C T   n x n e n 0 0 p p B p 0 (3)饱和工作模式: V 0, V 0 E C V V V V 相应的边界条件为: E T ,   C T   n x n e np 0 np 0 e p B p 0 V V (4) 截止工作模式: 0, 0 E C 相应的边界条件为:     n 0 n x 0 p p B 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 V V   E T 此外, p E xE p E 0 P W  P e E E E 0   VC / VT p C  p C 0 PC (xC ) PC 0e 四种工作模式及相应的少子分布 正向有源 饱 和

文档评论(0)

hhuiws1482 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:5024214302000003

1亿VIP精品文档

相关文档