- 1、本文档共77页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
半导体器件物理第3章-第2部分
3.4爱拜耳斯-莫尔方程
3.4爱拜耳斯-莫尔方程
3.4.1工作模式和少子分布
前面指出,双极晶体管有四种工作模式,取决于发射结和集电结的偏置状况。
(1)正向有源工作模式: 0, 0
V V
E C
V V
E T
n x 0
基区少子满足的边界条件为n 0 n e ,
p p 0 p B
(2)反向有源工作模式: V 0,V 0
E C
V V
相应的边界条件为: , C T
n x n e
n 0 0
p p B p 0
(3)饱和工作模式: V 0, V 0
E
C
V V V V
相应的边界条件为: E T , C T
n x n e
np 0 np 0 e p B p 0
V V
(4) 截止工作模式: 0, 0
E C
相应的边界条件为:
n 0 n x 0
p p B
3.4爱拜耳斯-莫尔方程
V V
E T
此外, p E xE p E 0 P W P e
E E E 0
VC / VT
p C p C 0 PC (xC ) PC 0e
四种工作模式及相应的少子分布
正向有源 饱 和
文档评论(0)