光纤通信英文版Chapter 7.pdf

Chapter 7 Light detectors 光检测器 上海师范大学电气信息系 Contents 目录 Principles of photodetection 光检测原理 Photomultiplier 光电倍增器 Semiconductor photodiode 半导体光电二极管 PIN photodiode PIN型光电二极管 Avalanche photodiode 雪崩光电二极管 上海师范大学电气信息系 7.1 Principle of photodetection 光检测器 Detectors convert light signals into electrical signals. 检测 器将光信号转换成电信号。 Internal Photoelectric Effect内部光电效应 Generation of free mobile charge carriers in semiconductors by absorption of photons. 在半导体中通 过吸收光子产生自由电荷载流子(电子和空穴) Devices:  pn photodiode pn光电二极管  PIN photodiode PIN型光电二极管 Avalanche photodiode (APD) 雪崩光电二极管 上海师范大学电气信息系 External Photoelectric Effect外部光电效应 Generation of free electrons when photons strike the surface of a metal. Electrons are emitted from the surface. 当光子入射到金属表面时，产生自由电子 。电子从金属表面被发射出来。 Devices:  Vacuum Photodiode 真空光电二极管  Photomultiplier tube 光电倍增管 上海师范大学电气信息系 Important Detector Properties 重要的检测器特性 1. Responsivity 响应度: P i Optical Power Electrical Current 光能 Photodetector 电流 光电检测器 (7.1) 上海师范大学电气信息系 2. Spectral Response谱响应: It is displayed as a curve of responsivity versus wavelength. (它展示了响应曲线与波长之间的关系。) Example: Silicon Photodiode Response 硅光电二极管响应 0.5 0 0.5 0.7 0.9 1.1  (m) 上海师范大学电气信息系 3. Speed of Response响应速度: As before, if t is the rise time, the bandwid