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第 41卷第 2期 应 用 化 工 Vo1．41No．2 2012年2月 AppliedChemicalIndustry Feb．2012 MoO3掺杂对高纯 Zr0．84Y0．16O1．92体系结构和 电性能的影响 王淼，李朝辉，杨梅，周德凤 (长春工、大学 化学与生命科学学院，吉林 长春 130012) 摘 要：采用溶胶一凝胶法合成高纯(SiO250me,／kg)Zr0“Y。．16Oll92+ MoO3(0．00≤ ≤0．07)固溶体，研究 MoO 的掺杂量对zr0。Y O，体系结构和电性能的影响。通过x射线衍射 (XRD)和场发射扫描电子显微镜 (FE．SEM)对材料进行表征，交流阻抗谱 (AC)测试材料的电性能。结果表明，掺人 MoO，后 ，体系仍保持立方莹石 型结构；MoO3掺杂于zr084Y0l16O 固体电解质的最佳掺量为0．05％；MoO3具有降低体系烧结温度、促进晶粒生 长和提高体系致密度的作用，掺入MoO 的Zr0Y O 体系晶界电导率和总电导率提高。 关键词：固体电解质 ；MoO 掺杂；烧结助剂；电导率 中图分类号：TM911．47 文献标识码：A 文章编号：1671—3206(2012)02—0202—04 EffectofM oO3-dopantonmicrostructureandelectrical propertiesofpure8YSZ electrolytes WANGMiao，LIZhao—hui，YANGMei，ZHOUDe-feng (SchoolofChemistryandLifeScience，ChangchunUniversityofTechnology，Changchun130012，China) Abstract：Thehighpure(SiO250mg／kg)Zro．84YD_I60192+xMoO3(0．00≤ ≤0．07)solidsolu— tionwaspreparedbythesol—gelmethod，thentheeffectsofMoO3一dopingonthestructuresandconducfivi— tyofthesystemwasdiscussed．ThesystemwascharacterizedbyX-raydiffraction(XRD)，fieldemission scanningelectronmicroscopy(FE—SEM)，andACimpedancespectroscopyanalysis．Theresultsshowed thatMoO3didnotchangethecubicfluorite—typestructureofsystems，theoptimaldopingvalueofMoO3 was0．05％ ；MoO3dopinginZr0 Y016O192solidelectrolytecanlowerthesinteringtemperature，promote ． 84 ． thegraingrowth，improvethedensifieationofthesystem andincreasethegrainboundaryconductivityand totalionicconductivity． Keywords：solidelectrolyte；MoO3一doping；sinteringaids；electricalconductivity ZrO基电解质材料具有较高离子传导性和较 基固体 电解质中加入少量金属氧化物作为烧结助 低的电导活化能，被认为是最有前途的固体氧化物 剂，可以降低材料的烧结温度、提高