POLYSIN腐蚀工艺讲训update.pptVIP

POLY/SIN 腐蚀工艺简介 WHAT IS ETCH？ 什么是腐蚀？ 腐蚀就是通过一定的方法（化学药液，特气等）把光刻曝光显影后形成的图形转移到硅片上，从而形成管芯的各种结构和图形。 ETCH BASE PARAMETER 腐蚀速率（ETCH RATE）=单位时间内同种衬底损失掉的厚度； E/R=（A-B）/ETCH TIME ETCH BASE PARAMETER 腐蚀速率的均匀性（UNIF）=在同一硅片不同位置的腐蚀速率的差异； UNIF=[MAX E/R（1，5）—MIN E/R（1，5）]/2AVG E/R（1，5） 1 2 3 4 5 ETCH BASE PARAMETER 选择比（SELECITY）=在同样腐蚀条件下，不同材料的腐蚀速率的比值。 SEL A/B= （E/R A）/（E/R B） 选择比反映腐蚀过程中对另一种材料（光刻胶或衬底）的影响。 ETCH BASE PARAMETER 形貌（PROFILE）=反映腐蚀后硅片表面的地貌特征； 负载效应=反映不同光刻图形（即PR/ETCH RATIO）对腐蚀速率，形貌等的影响。 条宽损失（CD LOSS）=腐蚀对图形条宽的影响。 CD LOSS=FINAL CD—PHOTO CD ETCH BASE PARAMETER 各向同性腐蚀=腐蚀速率在纵向和横向上均一样的腐蚀；如湿法腐蚀就是各向同性腐蚀。 ETCH BASE PARAMETER 各向异性腐蚀=腐蚀速率在纵向和横向上不一样的腐蚀，一般纵向速率远大于横向速率；如大部分干法腐蚀就是各向异性腐蚀。 PROFILE Etchrate Microloading orAspect Ratio Dependency POLYSILICON 通常可掺硼，砷，磷等 传导材料，阻抗可通过掺杂程度来调整 耐高温 在MOS device中可做栅极，电阻，电容或连线等 POLY etch requirement Etch rates Selectivities (to mask and substrate) Uniformities (within wafer, wafer-to-wafer) CD bias Feature profiles Loading effects Particles Poly etch(dry etch) Equipment: P5k dps The DPS Chamber Principle plain POLY腐蚀主要工艺步骤 STEP1:BT(Break Through) CF4 主要用于STEP1 ，以去除POLY 表面的一层自然氧化层。 plain POLY腐蚀主要工艺步骤 STEP2:ME(Main Etch) 一般来说，POLY-Si刻蚀主要采用CL2和HBr，其中 CL2 是主要反应气体，HBr是第二反应物。HBr不但与Si发生反应，生成不易挥发的SiBrx，淀积在POLY-SI 的侧壁，有效屏蔽横向腐蚀，它还能与光刻胶反应，生成聚合物，保护光刻胶，提高多晶硅对光刻胶的选择比。CL原子与SI发生化学反应生成可挥发的SiCLx化合物，其反应方程式为： Si + XCL → SiCLx Si + XBr → SiBrx plain POLY腐蚀主要工艺步骤 POLY工艺main etch time通常采用终点控制，常用探测波长有4705（cl*)，2880(si*) 4705在曲线上升沿终止工艺 2880在曲线下降沿终止工艺 Single POLY腐蚀主要工艺步骤 STEP3:OE(Over Etch) 将POLY完全腐蚀干净，此步腐蚀工艺中加入He-O2的混合气体，能有效提高POLY对SiO2的选择比 PROFILE 工艺能力（DPS为例） WSI ME PROFILE 在线监测手段 注： 残氧的测量是采用椭偏光测量方法。这种方法是利用椭圆偏振光照射到被样品表面，观测反射偏振状态的改变，从而能测定样品固有光学参数（折射率和消光系数）或者样品上膜层的厚度。 Poly 残留图例 Poly 残留图例 Poly 残留图例 SIN刻蚀 CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化）