AlxGa1-xAsGaAs异质结中电子迁移率的压力效应.pdfVIP

第 26 卷 　第 12 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 12 2005 年 12 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Dec . ,2005 Al x Ga1 - x As/ GaAs 异质结中电子迁移率的压力效应 白鲜萍 　班士良 ( 内蒙古大学理工学院 物理系 , 呼和浩特 　0 1002 1) 摘要 : 对 Alx Ga1 - x A s/ GaA s 半导体单异质结系统 ,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势 , 同时计入电子对异 质结势垒的隧穿 ,利用变分法和记忆函数方法讨论在界面光学声子和体纵光学声子的散射下 ,异质结界面附近电 子迁移率随温度的变化关系及其压力效应. 结果显示 : 电子迁移率随温度 、压力的增加而减小 ;且两种声子的散射 作用均随压力增强 ,界面光学声子的变化幅度更大. 因此 ,在讨论压力的情形下 ,界面光学声子的作用不容忽略. 关键词 : 异质结 ; 电子迁移率 ; 压力效应 PACC : 6320 K ; 7340L ; 7850 G 中图分类号 : O47 13 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 质结构中电子行为的压力效应 ,并对 Alx Ga1 - x A s/ 1 　引言 GaA s 异质结进行了数值计算. 结果表明 ,在界面光 学声子和体纵光学声子的散射下 , 电子迁移率随外 近年来 ,随着材料科学的进步 ,理论和实验两方 加压力的增大而减小. 面对半导体材料中输运现象的研究成果已有一定积 累 ,特别是极性光学声子散射下载流子的迁移率问 2 　理论模型 题引起人们的极大关注 ,许多学者采用不同途径对 其进行了研究 , 并且取得 了一些新的进展. 其中 , 考虑由 GaA s (材料 1 ,z 0) 和 Alx Ga1 - x A s (材 Sahu [ 1 ] 利用随机相近似得出量子阱中迁移率与载 料 2 ,z 0) 形成的半导体单异质结系统 ,选异质结 流子浓度的变化关系 ; Farvecque[2 ] 则从实验方面对 界面为 xy 平面 ,并视该平面为无穷大. 讨论基态电 此进行了探讨 ;Wan g[3 ] 采用介电连续模型研究了量 子处于最低子带的情形 ,并且引入有限高势垒与考 子阱中迁移率与阱宽的变化关系 ;Ba su [4 ] , Tutor [ 5 ] 虑导带弯曲的真实势. 运用 弛 豫 时 间近 似 分 别 研 究 了无 限 深 势 阱 2 . 1 　基态电子波函数 Alx Ga1 - x A s/ GaA s 中二维激子及 电子的迁移率与 [ 6 ] 温度的依赖关系 ; Ha sbun[ 6～8 ] 等人则从另一角度利 首先选择基态电子的变分波函数为 1 用记忆函数法研究了准二维异质结体系中光学声子