氮化镓在光电子和微电子器件中的应用.pdfVIP

氮化镓在光电子和微电子器件中的应用 袁明文 电子十三所 河北 石家庄 050051 摘要 综述了优良的宽禁带半导体材料G aN 在光电子和微电子器件中的应用 关键词 G a N 光电子 微电子 + 中图分类号 TN 30 4 .2 3 ; TN 36 文献标识码 A 文章编号 100 3-3 5 3X (2 00 1)0 6-0 0 16-04 Applicatio n of GaN in opt oelect ronics and mi croel ectronics devi ce YUAN Min g-wen ( Th e 13th E lec tr o n ic R es ea r ch I n s titu te , S h ij iaz h ua ng 0 50 0 5 1, Ch i n a ) Abstract : The latest progress an d tren d of wide ban d gap semicon du ctor materials GaN wh ich h as b een u sed in op toelectron ics an d microelectron ics dev ices, are rev iewed in th is p ap er . Keyword : GaN ; op toelectronics; microelectron ics 或者MOCVD 技术 其外延材料结构大多属于六方 1 前 言 或者立方型的晶体结构 前者生长在蓝宝石或者 GaN 是一种很稳定的化合物 其化学稳定性和 6H/4H SiC 衬底上 当前 大多数器件采用此类衬 热稳定性尤其有利于制造高温器件 其物理特性 底 包括宽禁带 高击穿 高饱和速度等 更有利于 2 器 件 制造微波功率器件 更值得一提的是 由于Al Ga x 1- N In G a N 的禁带宽度可调 是可见光 紫外 2.1光电子器件 x x 1-x 线光电子器件的理想选择 工艺技术上 成功地实 用于制造短波长发光二极管(LED)和激光器的 现了传统的低压 原子层的CV D 淀积和A l GaN / - 族材料具有极大的吸引力 超高亮度蓝光 In GaN 的掺杂 从而获得了高质量GaN -AlGaN 异质 绿光LED 的商品化和第一只 族氮化物激光器诞 结和AlGaN 二维电子气 优良的二维电子气传输特 生后 更清楚地表明 该材料具有极大的应用潜 性使其能够制造更加独特的光电子器件 力 还值得指出 这类器件能够开发的主要原因在 近年来 在材料生长方面的进展也很快 日本 于 人们成功地解决了三个关键技术 第一 采 住友电气公司(SEI) 已经首次生长2 英寸单晶GaN 衬 用缓冲层技术 即在蓝宝石衬底上 低温生长AlN 底 同蓝宝石相比 G aN 能导电 便于顶层和底 或G aN 层 获得高纯度的异质结 第二 摸清氢 层同时制作电极 节省面积 衬底和外延层的材料 化物钝化机理 采用Mg 作受主杂质 实现p 型掺 相同 易于解理 衬底和外延层