自旋极化度对GaAs量子阱中吸收饱和效应与载流子复合动力学的影响研究.pdfVIP

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．64，No．15(2015) 157201 自旋极化度对GaAs量子阱中吸收饱和效应与 载流子复合动力学的影响研究木 方少寅 陆海铭 赖天树十 (中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理科学与工程学院，广卅I510275) (2015年2月7日收到；2015年4月2日收到修改稿) 本文研究了 (001)GaAs量子阱薄膜中重空穴激子近共振抽运 ．探测的载流子 白旋弛豫动力学，发现载流 子的自旋极化对传统的线偏振光吸收饱和效应和载流子复合动力学都有影响．进一步的抽运流依赖的自旋弛 豫和复合动力学研究表 明，自旋极化对线偏振光的吸收饱和效应的影响随抽运流降低而变弱．在低激发流时， 自旋极化对线偏振吸收饱和效应的影响才可忽略．然而，又显现出自旋极化对复合动力学的影响．分析表明 复合动力学的自旋极化依赖性起源于重空穴激子形成浓度的自旋极化依赖性．复合动力学的 白旋极化依赖性 表明自旋弛豫时间计算中所涉及的复合时间应该使用 自旋极化载流子 的复合时间．基于二维质量作用定律的 激子浓度计算表明，库仑屏蔽效应对激子形成的影响在较低激发载流子浓度下可 以忽略． 关键词：圆偏振光抽运一探测光谱，GaAs量子阱，吸收饱和，复合寿命 PACS：72．25．Rb，73．21．Fg，78．47．jb，72．20．Jv DOI：10．7498／aps．64．157201 瞬态 自旋光栅 的局部点圆二色测量光谱，并用于 1 引 言 n—GaAs的电子 自旋输运动力学研究，首次获得 了 体GaAs薄膜的电子白旋扩散系数 [5]．Weber等使 进年来，超大规模集成芯片的集成度受到热耗 用瞬态 自旋光栅衍射技术研究了GaAs量子阱中电 散限制，增长缓慢；进一步提升集成度还会引起量 子 自旋输运动力学，发现了新的自旋 电子库仑拖 子尺寸效应．为了克服这些问题，进一步大幅度提 拽 fspinCoulombdrag)效应 6【】；w_u等系统的理论 升集成度，自旋电子学被提出[1】．之后，半导体中 研究了GaAs及其量子阱中电子 自旋和相干弛豫机 电子 自旋相关的各种效应成为近十多年的国际前 理，发现DP自旋弛豫机理是主要的，即使在P型掺 沿研究热点之一，其 中自旋弛豫和输运动力学的 杂情况也如此 [7]_Chen等发明了一种透射光栅调 研究最为广泛和深入、并 已取得重要进展．Lai和 制的圆二色抽运一探测吸收光谱，并用于研究 (110) Teng等研究了GaAs薄膜 中电子 自旋相干弛豫动 GaAs量子阱的自旋双极扩散输运动力学，首次获 力学，发现吸收量子拍的相位会随电子过超能量 得了电子 自旋双极扩散系数随激发载流子浓度变 增大而反相，揭示出自旋依赖 的轻重空穴带跃迁 化的关系 Is]：Ma等研究了CdTe晶体 中电子 自旋 强度反转 [，0]；Zhao等研究了P型掺杂GaAs中电 弛豫动力学 [9]．Luo等研究了GaAs／A1GaAs异质 子 自旋和相干弛豫动力学及其随温度、掺杂浓度 结中电子 自旋相干弛豫动力学，发现 电子 自旋相 的变化，发现P型掺杂GaAs中自旋弛豫的主要机 干时间随温度非单调变化 ；Chai等理论研究了 理仍然是DP机理 [4]．Yu等发明了一种高灵敏度的 k立方项Dresselhaus自旋一轨道耦合对二维电子气 国家重点基础研究发展计划 (批准号：2013CB922403)国家自然科学基 (批准号61475195)和广东省自然科学