GaN蓝光LED半导体芯片制备与相关工艺的要点.docVIP

HUNAN UNIVERSITY 课 程 论 文 论文题目 GaN蓝光LED半导体芯片制备与相关工艺的研究 学生姓名 樊超 学生学号 201211010104 专业班级 应用物理班 学院名称 应用物理与微电子科学学院 指导老师 姚凌江 2015年7月1日 目录 摘要......................................................3 ABSTRACT..................................................4 绪论...............................................5 1.1 LED概述...........................................5 1.1.1LED芯片的研究意义............................5 1.1.2氮化物蓝光LED芯片...........................5 1.2 GaN蓝光LED研究现状...............................7 1.2.1提高GaN蓝光LED电光转换效率的方法...........7 1.2.2表面粗化技术.................................8 1.2.3透明电极技术.................................9 LED 芯片制备关键技术及相关设备....................10 2.1 光刻技术.........................................10 2.1.1光刻工艺基本流程............................10 2.1.2光刻胶......................................11 2.1.3光刻机......................................12 2.2 薄膜沉积.........................................13 2.2.1 PECVD 沉积薄膜原理.........................13 2.2.2 PECVD 薄膜生长速率及薄膜性质...............14 总结与展望...............................................15 参考文献.................................................16 摘要 GaN材料为直接带隙、宽禁带半导体材料,具有优良的的光、电与热传导特性,因此适合作为短波长光电元件的材料。自1993年第一只商业化GaN/InGaN蓝光LED问世以来,GaN基发光器件的研究与应用一直是全球研究的前沿和热点。近年来通过涂覆荧光粉,GaN蓝光LED实现了白光发射,被应用于固态照明领域。照明用电占整个社会电力消耗的20%,为了实现绿色照明,要求GaN蓝光LED具有更高的电 光转换效率。 影响LED的电光转换效率的因素包括LED的内量子效率以及芯片光提取效率。随着外延技术的发展,目前GaN/InGaN LED的内量子效率已经超过80%。但是,由于GaN具有高的折射率(2.3),理论上当周围环境为空气时,由于GaN和空气之间的全反射效应,GaN中仅有4% 的光能够出来,这严重降低了 LED芯片的光提取效率。 GaN发光材料的制备主要方法包括在GaN衬底的同质外延,以及在蓝宝石、SiC和Si基板上的异质外延。由于体块GaN难以生长,GaN衬底价格非常昂贵,仅在科研领域有使用。蓝尘石凭借低廉的衬底价格、成熟的外延技术吸引了绝大部分的科研工作者以及LED生产厂商。SiC衬底由于具有小的晶格失配度和高的热导率,也在LED领域占有一席之地,但SiC衬底的价格相对较高,Cree公司凭借自己在SiC单晶生长方面的优势,是现在市场上唯一能够大量提供SiC衬底GaN LED芯片的厂家,SiC衬底GaN LED的技术也大部分被Cree公司垄断。 ABSTRACT GaN material is direct band gap and wide band gap semiconductor material with excellent optical, electrical and thermal conduction properties. It is