工程材料-过控-12-无机非金属材料要点.ppt

氮化硅（Si3N4）陶瓷 氮化硅是由Si3N4四面体组成的共 价键固体。 氮化硅的制备与烧结工艺 工业硅直接氮化：3Si+2N2→Si3N4 二氧化硅还原氮化：3SiO2+6C+2N2→Si3N4+6CO 烧结工艺 优点 缺点 反应烧结 烧结时几乎没有收缩，能得到复杂的形状 密度低，强度低，耐蚀性差 热压烧结 用较少的助剂就能致密化，强度、耐蚀性最好 只能制造简单形状，烧结助剂使高温强度降低 新型结构陶瓷 * 氮化硅（Si3N4) 是键合能很高的共价化合物。有两种晶体结构，?型与?型，两者均为密排六方结构，但?- Si3N4的C-轴长度是 ?-Si3N4的两倍。 主要的制备工艺有： 冷压烧结法 热压烧结法 反应烧结法 热等静压法 化学气相沉积法 氮化硅陶瓷 * 反应烧结法 将硅粉压成需要的形状，然后在1100-1400℃ 的高温下通入纯氮气或氮气与氢气的混合气，这时就有下列反应发生： 3Si (s) + 2 N2(g) Si3N4(s) 3Si (g) + 2 N2(g) Si3N4(s) Si(s) + SiO2 2SiO(g) 反应烧结法制备的氮化硅孔隙率较热压制品高（10%），因此其中温下的抗氧化能力也较低，通常其强度 400MPa, 一般为250 MPa左右。 氮化硅陶瓷 * 化学气相沉积 化学气相沉积法用来制备氮化硅的绝缘（热）或防扩散膜。 将硅烷或氯化硅在800-1100℃ 的温度下与氨气反应，就可制备得到氮化硅，具体的化学反应如下： 3SiH4(g) + 4NH3(g) Si3N4(s) + 12 H2(g) 3SiCl4(g) + 4NH3(g) Si3N4(s) + 12 HCl(g) 3SiHCl3(g) + 4NH3(g) Si3N4(s) + 9HCl (g) + 3 H2(g) 用化学气相沉积方法制备的氮化硅致密，但不能制备复杂的形状。 氮化硅陶瓷 * 用不同工艺制备的氮化硅的性能 氮化硅陶瓷 性能特点及应用 氮化硅的强度、比强度、比模量高；硬度仅次于金刚石、碳化硼等；摩擦系数仅为0.1~0.2；热膨胀系数小；抗热震性大大高于其他陶瓷材料；化学稳定性高。 热压烧结氮化硅用于形状简单、精度要求不高的零件，如切削刀具、高温轴承等。 Si3N4轴承 氮化硅陶瓷 反应烧结氮化硅用于形状复杂、尺寸精度要求高的零件，如机械密封环等。 汽轮机转子 叶片气阀等零件 氮化硅陶瓷 碳化硅（SiC）陶瓷 碳化硅是通过键能很高的共价键结合的晶体。 碳化硅是用石英沙(SiO2)加焦碳直接加热至高温还原而成：SiO2+3C→SiC+2CO。 碳化硅的烧结工艺也有热压和反应烧结两种。由于碳化硅表面有一层薄氧化膜，因此很难烧结，需添加烧结助剂促进烧结，常加的助剂有硼、碳、铝等。 常压烧结碳化硅 新型结构陶瓷 * 碳化硅是一种非常硬而脆的材料。在还原气氛中，碳化硅具有很好的耐烧蚀与化学腐蚀能力。在氧化气氛中，碳化硅中的自由 Si 可能被氧化，在极高温度下，碳化硅也可能被氧化。 碳化硅主要有两种晶体结构，一种为? - SiC，属于六方晶系，另一种为 ? - SiC，属立方晶系。多数碳化硅以? - SiC为主晶相。 碳化硅并不是一种天然存在的矿物，虽然硅和碳都是地球上存在着的最丰富的元素之一。 碳化硅陶瓷 * 主要的制备工艺有： 热压烧结法 反应烧结法 化学气相沉积法 热压烧结法 需要添加剂：MgO, B, C , Al 需要的热压温度非常高：1900 - 2200℃ 压力：35 Mpa 热压后的碳化硅制品须用金刚石打磨、修整，很贵。 碳化硅陶瓷 * 反应烧结法 原材料为碳化硅粉、石墨和增塑剂混合料。 粉状材料被压制、拉挤或注射到模具中，得到坯料。 分解增塑剂。 渗入硅的固体、液体或气体到坯料中与其中的碳反应原位形成碳化硅。 在这一工艺中，额外的 2-12%硅被渗入进去，以填充形成的空隙，因而可得到致密的制件。 碳化硅陶瓷 * 用不同工艺制备的碳化硅的性能 碳化硅陶瓷 碳化硅的最大特点是高温强度高，有很好的耐磨损、耐腐蚀、抗蠕变性能，其热传导能力很强，仅次于氧化铍陶瓷。 SiC密封件 碳化硅陶瓷 碳化硅陶瓷用于制造火箭喷嘴、浇注金属的喉管、热电偶套管、炉管、燃气轮机叶片及轴承，泵的密封圈、拉丝成型模具等。 SiC陶瓷件 SiC陶瓷件 SiC轴承 碳化硅陶瓷 氧化锆陶瓷 氧化锆的晶型转变：立方相?四方相?单斜相。四方相转变为单斜相非