四.CMOS反相器的设计.pptVIP

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2017-05-13 发布于四川
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四.CMOS反相器的设计.ppt

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四.CMOS反相器的设计

CMOS反相器的设计 CMOS反相器的设计一、工艺的选择二、电路前端设计三、版图后端设计四、LVS一致性检查一、工艺的选择采用实验使用的工艺。 0.6um N阱 1P2M 硅栅工艺 Layout (Design) Rules (I) Layout (Design) Rules (II) Layout (Design) Rules (III) 二、电路前端设计确定电路结构确定所使用的器件逻辑功能功耗输出驱动能力输入电流 3. 逻辑功能 4. 功耗 4. 功耗 5. 输出驱动能力 5. 输出驱动能力 6. 输入电流 6. 输入电流三、版图后端设计 1. 加入PMOS、NMOS管 2. 连接PMOS、NMOS管 3. 加入输入接口 4. 加入输出接口 5. 加入电源地 6. 加入PTAP 四、LVS一致性检查 1. 完成DRC检查 2. 生成EXTRACT文件 3. 完成LVS检查 * CMOS反相器的设计 * CMOS反相器是IC设计中结构最简单，并且最具有代表性的器件。 CMOS反相器包括的器件：NMOS、PMOS。 well (N阱): 1a . Minimum nwell width 1.8um 1b . Minimum nwell spacing 2.5um 1c . nwell enclosure of pdiff 2.0um 1d . nwell enclosure of ndiff 1.0um diffusion (扩散层): 2a . minimum ndiff or pdiff width 1.0um 2b . minimum ndiff or pdiff spacing 1.0um 2c . minimum ndiff to pdiff spacing 1.0um 2d . minimum source/drain diffusion width 1.0um 2e . Pmos device must be inside nwell poly1 (多晶硅一层)： 3a . minimum poly1 width 0.6um 3b . minimum poly1 spacing 1.0um 3c . poly1 extension past ndiff or pdiff 0.4um Metal1(金属一层)： 4a . minimum metal1 width 0.8um 4b . minimum metal1 spacing 1.0um Metal2(金属二层)： 6a . minimum metal2 width 1.0um 6b . minimum metal2 spacing 1.0um contact (接触孔)： 5a . minimum contact width 1.0um 5b . minimum contact spacing 1.0um 5c . ndiff or pdiff enclosure of contact 1.0um 5d . metal1 enclosure of contact 0.5um 5e . poly1 enclosure of contact 0.5um via (过孔)： 7a . minimum via width 1.0um 7b . minimum via spacing 1.0um 7c . metal1 enclosure of via 1.0um 7d . metal2 enclosure of via 0.5um 1. 确定电路结构确定MOS管的宽长比。宽长比过大——版图使用面积大宽长比过小——版图无法加工思路：（1）利用版图规则确定NMOS管的宽长比。（2）PMOS管宽长比为NMOS管的2倍。 2. 确定所使用的器件确定NMOS管的宽长比所需要使用的规则：长度： minimum poly1 width 0.6um NMOS管最小长度为0.6um 宽度： ndiff or pdiff enclosure of contact 1.0um metal1 enclosure of contact 0.5um minimum via width 1.0um metal1 enclosure of via 1.0um NMOS管的最小宽度为：3um NMOS管的宽长比： (W/L)n=3um/0.6um PMOS管的宽长比： (W/L)p= (W/L