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8 光电传感器 8.1 光电器件 光电器件是将光能转换为电能的一种传感器件，它是构成光电式传感器最主要的部件。光电器件响应快、结构简单、使用方便，而且有较高的可靠性，因此在自动检测、计算机和控制系统中，应用非常广泛。 光电器件工作的物理基础是光电效应。在光线作用下，物体的电导性能改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻等就属于这类光电器件。在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应，即阻挡层光电效应，如光电池、光敏晶体管等就属于这类光电器件。在光线作用下，能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管就属于这类光电器件。 一、光敏电阻 l．光敏电阻的工作原理与结构 光敏电阻又称光导管，工作机理：光电导效应。 光电导效应：半导体受到光照射时会产生电子-空穴对，使其导电性能增强；光线越强，半导体的阻值越低。这种光照射后电导率发生变化的现象，称为光电导效应。 光敏电阻几乎都是用半导体材料（如：硅、锗、硫化镉、硫化铅、锑化铟、硒化镉等）制成的光电器件。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。无光照时，光敏电阻值（暗电阻）很大，电路中电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时，它的阻值（亮电阻）急剧减少，电路中电流迅速增大，故称之为光电导器件或光电导探测器，用于测量一定波长的光强。 一般希望暗电阻越大越好，亮电阻越小越好，此时光敏电阻的灵敏度高。 2.光敏电阻的特性 1）暗电阻、亮电阻与光电流 暗电阻：光敏电阻在未受到光照射时的阻值，对应的电流为暗电流。 亮电阻：光敏电阻在受到光照射时的阻值，对应的电流为亮电流。 光电流：亮电流与暗电流之差称为光电流。 实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧级，亮电阻在几千欧以下，暗电阻与亮电阻之比一般在102~106之间。 2）伏安特性：在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏安特性。所加的电压越高，光电流越大，线性，且无饱和现象。 3）光照特性：在给定电压下，光电流的数值将随光照增强而增大。绝大多数光敏电阻的光照特性是非线性的。由图可见。 4）光谱特性：光敏电阻的相对光灵敏度与入射波长的关系称为光谱特性，亦称为光谱响应。对于不同波长的光，光敏电阻的灵敏度是不相同的，反映了光敏电阻材料对光的波长选择性。 二、光敏二极管和光敏晶体管 1.结构原理 光敏二极管的结构与一般二极管相似，它装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管顶，可以直接受到光照射。光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态，在无光照射时，反向电阻很大（高达4M Ω），反向电流很小，这反向电流称为暗电流。当光照射在PN结上，光子打在PN结附近，使PN结附近产生光生电子和光生空穴对，少数载流子在PN结处的内电场作用下作定向运动，形成光电流。光的照度越大，光电流线性增加。因此光敏二极管在不受光照射时，处于截止状态，受光照射时，处于导通状态，实现光——电转换。 光敏晶体管与一般晶体管很相似，具有两个PN结，只是它的发射极一边做得很大，以扩大光的照射面积。大多数光敏晶体管的基极无引出线，当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，集电结就是反向偏压，当光照射在集电结上时，就会在结附近产生电子—空穴对，从而形成光电流（几微安），相当于三极管的基极电流，由于基极电流的增加，因此集电极电流是光生电流的β倍（几毫安），所以光敏晶体管有放大作用。 2.基本特性 1）光谱特性 光敏二极管和晶体管的光谱特性曲线如图所示。从曲线可以看出，硅的峰值波长约为0.9μm，锗的峰值波长约为1.5μm，此时灵敏度最大，而当入射光的波长增加或缩短时，相对灵敏度也下降。一般来讲，锗管的暗电流较大，因此性能较差，故在可见光或探测赤热状态物体时，一般都用硅管。但对红外光进行探测时，则锗管较为适宜。 2) 伏安特性 光敏晶体管的光电流比相同管型的二极管大上百倍。 三、 光电池 1.光电池结构原理 光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。光电池在有光线作用下实质就是电源，电路中有了这种器件就不需要外加电源。 光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”。它实质上是一个大面积的PN结，当光照射到PN结的一个面，例如P型面时，若光子能量大于半导体材料的禁带宽度，那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴，电子空穴对从表面向内迅速扩散，在结电场的作用下，最后建立一个