电力电子技术教学课件-第四讲第二章.pptVIP

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电 力 电 子 技 术 Power Electronics 2.5 可关断晶闸管(GTO) 门极可关断晶闸管(GTO,Gate Turn off Thyristor),具有普通晶闸管的全部优点,如耐压高、电流大等,同时它又是全控型器件,即在门极正脉冲电流触发下导通,在负脉冲电流触发下关断。 GTO开关时间在几μs至几十μs之间,是目前容量唯一与晶闸管接近的全控型器件,适用于开关频率为数百至几千Hz的大功率场合。 目前GTO已被广泛应用于电力机车的逆变器、电网动态无功补偿和大功率直流斩波调速装置中。 2.5.1 基本结构和工作原理 GTO的外部管脚与普通晶闸管相同,也有阳极A、阴极K和门极G三个电极,其外形、结构断面示意图和电气符号如图2-18所示。和普通晶闸管的不同:GTO是一种多元的功率集成器件,内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元,这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。 2.5.1 基本结构和工作原理 工作原理: 与普通晶闸管一样,可以用下图所示的双晶体管模型来分析 ?1+?2=1是器件临界导通的条件。当?1+?21时,两个等效晶体管过饱和而使器件导通;当?1+?21时,不能维持饱和导通而关断 在GTO的等效晶体管结构中,根据式(2-6)可推导出在门极电流为负时, 2.5.1 基本结构和工作原理 βoff定义为GTO的电流关断增益。若βoff太大,则GTO处于深度饱和,不能用门极抽取电流的方法来关断。因此在允许范围内,要求α1+α2尽可能接近1,且α2要大。 导通过程:与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度较浅。 关断过程: 强烈正反馈—门极加负脉冲即从门极抽出电流,则Ib2减小,使IK和Ic2减小,Ic2的减小又使IA和Ic1减小,又进一步减小V2的基极电流 当IA和IK的减小使?1+?21时,器件退出饱和而关断 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快,承受di/dt能力强 2.5.1 基本结构和工作原理 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别: (1)设计?2较大,使晶体管V2控制灵敏,易于GTO关断 (2)导通时?1+?2更接近1(?1.05,普通晶闸管?1+?2?1.15)导通时饱和不深,接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通时管压降增大 (3)多元集成结构使GTO元阴极面积很小,门、阴极间距大为缩短,使得P2基区横向电阻很小,能从门极抽出较大电流 2.5.2 可关断晶闸管特性 图2-19 GTO的开通和关断过程电流波形 2.5.2 可关断晶闸管特性 门极负脉冲电流与三个时间量的关系:门极负脉冲电流的幅值和前沿陡度会影响储存时间,幅值愈大,前沿越陡,ts 就越短;门极负脉冲电流后沿陡度影响复合时间。 GTO也是电流型驱动器件,用门极正脉冲可使GTO开通,门极负脉冲可以使其关断,这是GTO最大的优点。 电流关断增益?off 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益 ?off一般很小,只有5左右,这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A。 2.5.3 可关断晶闸管的驱动 根据GTO的导通和关断机理,GTO要求有正的触发脉冲电流使其导通,有负的脉冲电流使其关断,并不需要有持续的正、负电流保持其通态和断态。 但在实际应用中,在GTO正常导通情况下,为降低GTO的正向压降,可继续维持一定的门极驱动电流,这对于克服GTO的擎住电流较大的缺点也是有利的。 关断后还应在门阴极施加约5V的负偏压以提高抗干扰能力。 2.5.3 可关断晶闸管的驱动 理想的门极电流波形 2.5.3 可关断晶闸管的驱动 GTO的驱动电路如图所示,开关S1闭合时,门极正电流流通,GTO导通;开关S2闭合时,门极反电流流过,GTO关断。在GTO关断时,门极驱动电路的阻抗要极小,以便获得较陡的峰值高的门极反电流。 2.5.4 可关断晶闸管的应用特点 GTO保留了晶闸管的大部分特点,是高压大功率领域难得的全控性器件。 但其控制灵活性差、对驱动电路要求很高,器件很小的引线电感都会影响驱动效果,而且工作频率较低,同时GTO的通态管压降比较大,导通损耗大,因此通常只在特大功率场合使用GTO。 2.6 电力晶体管 电力晶体管(GTR,Giant Transistor),是一种双极型大功率高反压晶体管,因此电力晶体管也简称BJT。 国际电工委员会(IEC)已规定电力晶体管用BJ

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