模拟电子技术第1章要点.ppt

MOS型场效应管 1. MOS管比结型场效应管具有更高的输入电阻，且功耗低、集成度高、制造工艺简单，应用广泛。 （1）按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 2.分类： （2）按导电沟道可分为： N沟道和P沟道 结构与符号 以N沟道增强型MOS场效应管为例。它以低掺杂的P型硅材料作衬底，在它上面制造两个高掺杂的N型区，分别引出两个电阻性接触电极，作为源极s、漏极d。在P型衬底的表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，并在两个N区之间的绝缘层上蒸发铝并引线作为栅极。 MOS型场效应管 G S D 漏极 金属电极 栅极 源极 高掺杂N区 D G S SIO2绝缘层 P型硅衬底 N+ N+ 衬底引出线 MOS型场效应管的工作原理 在uGS的控制下，漏源之间导电沟道的产生过程； 在uGS的控制下，漏源电压uDS对漏极电流iD的影响。 MOS型场效应管的工作原理 当栅源电压uGS=0时，由于P型衬底与源区和漏区形成两个背靠背的PN结，因此源区和漏区之间没有导电沟道。 MOS型场效应管的工作原理 当栅源电压0uGSUT时，在P型衬底靠近SiO2一侧出现耗尽层，此时源区和漏区之间仍然没有导电沟道。 MOS型场效应管的工作原理 随着uGS的不断增大，uGSUT时，漏源之间形成了导电沟道。 UT为开启电压。当uGSUT后，uGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻越小。此时，