3数电第3章第2部分.pptVIP

MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 动态功耗 动态功耗 CMOS 反相器输入特性 输入噪声容限 结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限 三态输出门电路 CMOS传输门 （2）漏极开路门的结构与逻辑符号 (c) 可以实现线与功能; (d) 可实现逻辑电平变换： (a)工作时必须外接电源和电阻; +VDD V SS T P1 T N1 T P2 T N2 A B L 电路 逻辑符号 (b)可并联 L Rp的值愈小，负载电容的充电时间常数亦愈小，因而开关速度愈快。但功耗大,且可能使输出电流超过允许的最大值IOL(max） 。 电路带电容负载 1 0 CL Rp的值愈大，可保证输出电流不能超过允许的最大值IOL(max）、功耗小。但负载电容的充电时间常数亦愈大，开关速度因而愈慢。 上拉电阻应如何选择?它取值的大小对OD门的开关时间和电路工作的安全性有何影响? VDD1和VDD2可取不同值； 允许灌入电流较大。如： CC40107在VOL0.5V的条件下，允许灌入的最大电流可达50mA。 2、用于直接驱动大电流负载。 74HC/HCT系列CMOS门电路的最大灌电流或拉电流为4mA 指示灯(12V, 20mA) 1 0 0 1 1 截止 导通 1 1 1 高阻 × 0 输出L 输入A 使能EN 0 0 1 1 0 0 截止 导通 0 1 0 截止 截止 X 1 逻辑功能：高电平同相逻辑门 0 1 CMOS传输门(双向模拟开关) 数据采集电路 ADC CH1 CH2 CHN 方案2 计算机 ADC CH1 CH2 CHN 方案1 ADC ADC 计算机 υI /υO υo/υI C 等效电路 * * * 场效应三极管（FET、Field Effect Transistor) 　　利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管特点 只有一种载流子参与导电； 输入电阻高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、 成本低。 CMOS门电路 　绝缘栅型场效应管 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 109 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 耗尽型场效应管:VGS = 0时漏源间存在导电沟道的MOS管 增强型场效应管:VGS = 0时漏源间不存在导电沟道的MOS管 N 沟道增强型 MOS 场效应管 1. 结构 P 型衬底 N+ N+ G S D SiO2 源极Source 漏极Drain 栅极Gate 1.MOS管的工作原理 导电沟道(反型层) 当 大于VGS(th)时，将出现导电沟道。 VGS(th)称为开启电压，与管子构造有关。 S D B 导电沟道将源区和漏区连成一体。此时在D,S间加电压 ，将形成漏极电流iD。 称为N沟道增强型场效应管 显然，导电沟道的厚度与栅源电压大小有关。而沟道越厚，管子的导通电阻RON越小。因而，若 不变， 就可控制漏极电流iD。因此把MOS管称为电压控制器件。 3.特性曲线( N 沟道增强型 MOS 管) G D S 3V 4V 5V vGS = 6V iD /mA 4 3 2 1 0 2 4 6 8 10 vDS /V 可 变 电 阻 区 （恒流区） iD + - VGS + - VDS 输出特性 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 截止区 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 可变电阻区：当VDS 较低, VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 3.特性曲线( N 沟道增强型 MOS 管) G D S 3V 4V 5V vGS = 6V iD /mA 4 2 6 4 3 2 1 0 vGS /V iD /mA 4 3 2 1 0 2 4 6 8 10 vDS /V 可 变 电 阻 区 （恒流区） VGS(th) iD 开启电压 + - VGS + - VDS 输出特性 转移特性 截止区 VGS VGS(th) MOS管截止 VGS VGS(th) MOS管导通 N 沟道增强型 MOS 管: VGS 0 4. MOS管的开关作用 开启电压VGS(th) 0 DD OH O V V v = = V 0 OL O ? = V v I v VGS(th) +VDD RD B G D S O v I v S G D