模电演示课件1-1半导体基本知识点.ppt

模电课件 * 第一章 常用半导体器件 §1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 双极型晶体管 §1.4 场效应管 1.熟悉P型、N型半导体的基本结构及特性 ； 2.掌握PN结的单向导电性 。 1. P型、N型半导体的形成和电结构特点； 2. PN结的正向和反向导电特性 。 §1.1 半导体基础知识 学习目标： 学习重点： §1.1 半导体基础知识一、本征半导体 1、半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是四价元素。 硅原子 锗原子 下一页 上一页 章目录 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 晶体结构是指晶体的周期性结构。即晶体以其内部原子、离子、分子在空间作三维周期性的规则排列为其最基本的结构特征 空穴 自由电子 2、本征半导体的晶体结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 （1）共价键：相邻两个原子共用一对最外层电子（价电子）的组合称为共价键。 （2）束缚电子：共价键中的价电子受共价键的束缚。 （3）自由电子：共价键中的电子获得一定能量（热能）后，挣脱共价键的束缚（本征激发），形成自由电子。 （4）空穴：电子挣脱共价键的束缚形成自由电子后，共价键中留下一个空位，称为空穴。空穴带正电。 下一页 上一页 章目录 共价键 束缚 电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子运动方向与空穴运动方向相反。 3、本征半导体中的两种载流子 自由电子 载流子 空穴 载流子：能够自由移动的带电粒子。 4、本征半导体中载流子的浓度 本征激发：半导体在受热或光照下产生“电子空穴对”的 现象称为本征激发。 复合：自由电子填补空穴，使两者消失的现象称为复合。 动态平衡：在一定温度下，本征激发产生的“电子空穴对”，与复合的“电子空穴对”数目相等，达到动态平衡。在一定温度下，载流子的浓度一定。 下一页 上一页 章目录 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 下一页 上一页 章目录 本征半导体载流子浓度为： T=300K时，本征半导体中载流子的浓度比较低，导电能力差。Si：1.43×1010cm-3 Ge：2.38×1013cm-3 T：热力学温度； k：玻耳兹曼常数（8.63×10-5eV/K）； K1：与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量。（Si：3.87×1016cm-3·K-3/2 ， Ge：1.76×1016cm-3·K-3/2 ）； EGO：热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁带宽度 （Si：1.21eV，Ge：0.785eV）； 自由电子 施主离子 电子空穴对 自由电子 二、杂质半导体 1、N型半导体 下一页 上一页 章目录 掺入微量杂质，可使半导体导电性能大大增强。按掺入杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。 在本征半导体中掺入微量五价元素。 + + + + + + + + + + + + N型半导体 硅原子 多余电子 磷原子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 多数载流子---自由电子 少数载流子--空穴 受主离子 电子空穴对 空穴 2、P型半导体 下一页 上一页 章目录 在本征半导体中掺入微量三价元素。 － － － － － － － － － － － － P型半导体 硅原子 空位 硼原子 多数载流子--空穴 少数载流子—自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 空穴 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a 三、PN结 1、PN结的形成 下一页 上一页 章目录 形成过程： P型和N型半导体结合 扩散运动 内电场建立 阻碍扩散运动 促使漂移运动 动态平衡 形成空间电荷区 PN结形成 多子浓度差 空间电荷区 耗尽层 N区 P区 内电场 － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + +