用于宽光谱减反射膜的热压印图形转移的研究.pdfVIP

dE 法披在: Iii鹰噩噩睛 用于宽光谱减反射膜的热压印图形转移的研究 高 E鸟 ， i手起， nt启明， 肖志斌， 列、强 (中国电子科技集团公司第十八研究所， 天津300384) 摘要:提出在 AllnP 窗口层上，利用纳米热压印技术加工徽圆锥陈列结构实现宽光谱减反射膜的方法。 通过设计仿真， AllnP 微圆锥阵列结构.可实现400 - 1700 nm 光i普范围内平均反射率2. 5%。 纳米然压印技术利用制作的模饭，在温 度达到 PMMA 聚合物玻现转化温度之上后施加一定的压力将模板压印到 PMMA 聚合物表面，使得纳米级模板结构转 移到样品上。 采用 Obduct 纳米压印机，研究图形转移的优化参鼓.制备出了具有离分辩率的热压印图形，为实现A1lnP 微圆锥陈列结构打下了良好的基础。 关键词:图形转移;热压印;宽光谱;减反射膜 中团分类号:TM 914 文献标i只码:A 文章编号: 1002-087 X(2015)07-1424-04 Pattem transfer fabricated by nano-imprint lithography for broadband antireflection layer GAO Peng, XUE Chao , ZHANG Qi-ming, XlAO Zh i-bin, SUN Qiang (Tianjin Tnsrirure ofPower Sourcω， ， Tianjin 30，归84， China) Abstract: The microcones array was fabricated by nano- imprint lithography used for broadband antireflection coatings on AllnP window layer. Through design simulation, the AllnP micr，∞ones array structures exhibited an average reflectivity of 2.5% in a spectral range 400-1 700 nm. Hot embossing lithography process created features by transferring the nano-structures in a stamper onto PMMA thermoplastic materials under certain temperature and pressure. The high-resolution pattems were gained with optimum parameter by nanO-imprint Obduct machine, made the fωndat， ion 01realizing 伽e AllnP microcones array structures. Key words : figure transfer; hot embo臼ing lithogr叩hy; broadband; nano- antireflection layer 利用高效多结皿-v 族太阳电池进行地面及空间的太阳 印的纳米级图形转移精度的研究。 能发电已经吸引了越来越多的关注[，其研究的热点是利用多 1 热压印过程及设计仿真 结太阳电池多能带吸收太阳光谱，实现太阳光谱从 300-1800