电子束技术之基本原理与应用.doc

電子束技術之基本原理與應用 - PAGE 1 - 精编资料 简介：电子束之基本原理真空为必备的操作环境.在真空度不够的环境中,电子束与残留气体...电子束技术其他应用由於电子束微影技术拥有光学微影技术无法替代的优点,故许多应用... 关键词：原理,应用 電子束技術之基本原理與應用 機械科教師 林金山 目錄 頁數 前言 …………………………………………………………… 2 光學微影技術………………………………………………… 3 電子束微影技術 ….………………………………….……….. 6 電子束之基本原理 …………………………………………… 6 電子束微影系統簡介 …. ……………………………..…….. 8 電子束微影技術產能改善之工作原理 ……………………… 11 電子束微影面臨之難題及解決方式 ………………………… 17 電子束技術其他應用 ………………………………………… 20 電子束蒸鍍(EB Evaporation/Coating) ………………………… 21 電子束焊接(EB Welding) ……………………………………… 21 電子束懸浮區段純化(EB Floating Zone Refining) …………… 22 電子束切削(EB Machining) ………………….…………….….. 23 結語 ………….……………………………………………….…… 23 參考資料 ….…..…………………………………………….……. 24前言 電子束技術(Electron Beam Technology)之發展與研究至今已有超過三百年的歷史，而真正的工業級電子束相關設備發展、安裝及生產是在第二次世界大戰之後才漸漸開始的，探究其原因，主要是因為在第二次世界大戰前，工業界對於一些高級材料之需求不高，連帶的對於電子束這種昂貴的設備投資興趣缺缺，另外，高真空設備技術的不夠成熟也是另一項重要原因。然時至今日，隨著資訊時代的來臨，對於特定之高級電子材料及一些特殊製程之需求量也相對有一定增加之趨勢。尤其, 隨著電子科技的快速發展，電子元件的尺寸也在逐漸的減小。在製作這些元件的技術中，毫微米曝光及成像技術的發展具有舉足輕重的影響。 微影技術(lithography) 在積體電路製程中扮演著舉足輕重的角色，倘若微影技術無法符合新一代電路設計的規範，則整個積體電路工業將面臨裹足不前的窘境。由於現今積體電路設計規範是往尺寸逐年縮小的方向邁進，因此主宰著圖案定義成效的微影技術，必須配合此需求而對曝光設備的開發、製程的建立、光罩的製作及其他相關技術的運用等，投入大規模的人力、物力、財力及時間。當今所使用的微影系統中，以光學微影設備為主流，主要是由於其產能大、良率高，因而成本較低。然而，以目前大量使用的深紫外光(deep ultra violet,DUV) 光源而言，所提供之解析度(resolution) 與光源的波長有關，因此有其極限存在。例如，以氟雷射為光源(波長為157 奈米)，預估可適用至0.07 微米，對尺寸更微小的圖案製作，則必須尋求其他曝光源。事實上，一些適用於更小尺寸的曝光技術發展正如火如荼地展開，如電子束(electron beam)、X光、極紫外光(extreme ultra violet, EUV)、離子束(ion beam)等，其中電子束與X 光是最早被開發的曝光能源。 電子束微影技術是應用掃描式電子顯微鏡(scanningelection microscope, SEM) 的概念發展而來，其波長為深紫外光的數千分之一，因此具有極佳的解析能力，以往的電子束微影技術多用於光學微影系統所使用之光罩(mask) 的製作，近年來為了彌補光學微影系統解析度之不足，也被應用於晶圓直寫(directwrite)，將圖案直接繪製於晶圓表面的感光性材料。電子束源另一項有潛力之應用為投影式電子束微影技術(e-beam projection lithography, EPL) 技術，又名為限孔徑散射型投影式電子束(scattering with aperturelimited projection electron lithography, SCALPEL)，此乃利用類似光學投影的方式，將透過圖罩所形成的電子束分布圖案照射於晶圓表面，具有極高的解析度與合理的產能，預計可應用於0.05微米以下的積體電路產品。此外，未來微影技術所使用之遮罩，也需仰賴電子束微影系統的圖案製作能力，因此其應用範圍愈來愈廣。因此, 本文除了對電子束技術之基本原理、傳統之應用做一簡單的介紹外, 並對光學微影技術及電子束微影技術的應用做簡單的說明。 光學微影技術 微影術(Lithography)在半導體製程上較狹義之定義，一般是指以光子束經由圖罩(Mask, Reti