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第2章 高频电子电路基础 各种无线电设备都是由一些处理高频信号的功能电路,如高频放大器、振荡器、调制解调器等组成的。这些电路,无论是工作原理、实际电路都有各自的特点。这些将在下面各章中详细研究,但是它们之间也有一些共同之点,比如,所使用的有源器件和无源网络有许多是相同的。这些器件和无源网络可以说是各种高频电路的基础。本章将首先讨论这些电路。 2.1高频电路中元、器件的特性 2.1.1 高频电路中无源元件的特性(1.电阻器的高频特性 ) 一个实际的电阻器,在低频时主要表现为电阻特性,但在高频使用时不仅表现有电阻特性的一面,而且还表现有电抗特性的一面。电阻器的电抗特性反映的就是其高频特性。一个电阻R的高频等效电路如图2-1-1所示,其中Cr为分布电容,Lr为引线电感,R为电阻 2.1.1高频电路中无源元件的特性 分布电容和引线电感越小,表明电阻的高频特性越好。电阻器的高频特性与制作电阻的材料、电阻的封装形状和大小有密切的关系。一般来论,金属膜电阻比线绕电阻的高频特性好;贴片(SMD)电阻比普通电阻的高频特性要好;小尺寸的电阻比大尺寸的电阻的高频特性要好。频率越高,电阻器的高频特性就越明显。在实际使用时,要尽量减少电阻器高频特性的影响,使之表现为纯电阻。 2.1.1高频电路中无源元件的特性 2. 电感线圈的高频特性 电感线圈在高频频段除表现出电感L的特性外,还具有一定的损耗电阻r和分布电容。在分析一般的长、中、短波频段电路时,通常可以忽略分布电容的影响。因而,电感线圈的等效电路可以表示为电感L和电阻r串联,如图2-1-2所示。 2.1.1高频电路中无源元件的特性 电阻r随频率增高而增加,这主要由于集肤效应的影响。所谓集肤效应是指随着工作频率的增高,交流电流集中流过导线表面这一现象,可参看图2-1-3所示。当频率很高时,导线中心部位几乎完全没有电流流通,这相当于把导线的横截面积减小为导线的圆环面积,导线的有效面积较直流时大为减少,电阻r增大。 工作频率越高,圆环的面积越小,导线电阻就越大。 2.1.1高频电路中无源元件的特性 在电子技术中通常不是直接用等效电阻r,而是引入线圈的品质因数这一参数来表示线圈的损耗性能。品质因素定义为无功功率与有功功率之比 设流过电感线圈的电流为I,则电感L上的无功功率为 而线圈的损耗功率,即电阻r的消耗功率为 2.1.1高频电路中无源元件的特性 Q0值是一个比值,它是感抗与损耗电阻r之比,Q0值越高损耗越小。一般情况下,线圈的Q0值常在几十到一、二百左右。 电感线圈的串、并联等效电路 2.1.1高频电路中无源元件的特性 为了计算方便,有时需要把图 2-1-4(a)所示的电感与电阻串联形式的线圈等效电路转换为电感与电阻的并联形式。如图2-1-4(b)所示,图中的Lp、R表示并联形式的参数。根据等效电路的原理,在图2-1-4(a)中1-2两端的导纳应等于图2-1-4(b)中两端的导纳 即 由上式,并用Q0式就可以得到 Q0远大于1时 Lp≈L 2.1.1高频电路中无源元件的特性 上述结果表明,一个高Q电感线圈,其等效电路可以表示为串联形式,也可以表示为并联形式。在两种形式中,电感值近似不变,串联电阻与并联电阻的乘积等于感抗的平方。 由上式可见,r越小R就越大,即损耗小。反之,则损耗大。一般地,r为几欧的量级,变换成R则为几十到几百千欧。 2.1.1高频电路中无源元件的特性 Q0也可以用并联形式的参数表示 上式表明,若以并联形式表示Q0时,则为并联电阻与感抗之比 3. 电容器的高频特性 一个实际的电容器除表现电容特性外,也具有损耗电阻和分布电感。在分析一般米波以下频段的谐振回路时,常常只考虑电容和损耗。 2.1.1高频电路中无源元件的特性 电容器的等效电路也有两种形式,如图2-1-5所示 为了说明电容器损耗的大小,引入电容器的品质因素,它等于容抗与串联电阻之比 2.1.1高频电路中无源元件的特性 电容器损耗电阻的大小主要由介质材料决定。 值可达几千到几万的数量级,与电感线圈相比,电容器的损耗常常忽略不计。 同理,可以推导出图2-1-5 串、并联等效电路的变换公式 当 >>1时,它们的近似式为 2.1.2 电路中有源器件的特性 上面分析表明,一个实际的电容器,其等效电路可以表示为并联形式,也可以
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