河南理工大学微机原理与接口技术介绍.pptVIP

第4章 第4章：半导体存储器及其接口 教学重点 存储器是计算机硬件的重要组成部分，存储器使得计算机有了记忆功能，有了记忆功能计算机才有可能成为真正意义上的机器人，记忆和思维是产生智能的基础。衡量存储器的指标 1、存储容量：是反映记忆容量的指标，存储容量大计算机系统能保存的信息就越大。 2、存储器的存取速度：确定了计算机系统的运行速度，当然越快越好。 3、存储器的价格：我们希望价格越低越好 存储器分类 1、按构成存储器的器件和存储介质分类：磁芯存储器、半导体存储器、光电存储器、磁带存储器、光盘存储器等。 2、按存取方式分：随机存储器、只读存储器。 随机存取存储器RAM（random access memory ）,又称随机读/写存储器，能够通过指令随机地对各个单元进行读或写操作的一类存储器。 只读存储器ROM （read-only memory ）：在计算机运行过程中，只能对其进行读操作，而不能对其写操作的一类存储器。 存储器与CPU的相对位置如图所示: 分为主存储器（内存）、辅助存储器（外存）、缓冲存储器等，主存储器位于系统主机的内部， CPU对其中的存储单元可以直接读写，在这里我们只讨论内存的组成。辅助存储器位于系统主机的外部， CPU对其进行的存/取操作必须通过内存才能进行；缓冲存储器位于主存与CPU之间，其存取速度很快，但容量小，可用来解决存取速度与存储容量之间的矛盾，提高整个系统的运行速度。 第4章：4.1 半导体存储器概述 第4章：4.1.1 半导体存储器的分类 第4章：图4.1 半导体存储器的分类 第4章：⑴读写存储器RAM 第4章：⑵只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 第4章：4.1.2 半导体存储器芯片的结构 第4章：①存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量 ＝存储单元数×存储单元的位数＝2M×N M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 第4章：MOS管型RAM存储体原理示意图 第4章：②地址译码电路 第4章：③片选和读写控制逻辑 片选端CS或CE 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 第4章：4.2.1 静态RAM SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 SRAM一般采用“字结构”存储矩阵： 每个存储单元存放多位（4、8、16等） 每个存储单元具有一个地址 第4章：SRAM芯片2114 第4章：SRAM芯片6264 第4章：4.3.1 EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）编程 编程后，应该贴上不透光封条 出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息 “1” 编程就是将某些单元写入信息0 第4章：EPROM芯片2716 第4章：EPROM芯片2764 第4章：4.4 半导体存储器与CPU的连接 第4章：4.4.1 存储芯片与CPU的连接 存储器接口设计要点 第4章：1. 存储芯片数据线的处理 若芯片的数据线正好8根： 一次可从芯片中访问到8位数据 全部数据线与系统的8位数据总线相连 若芯片的数据线不足8根： 一次不能从一个芯片中访问到8位数据 利用多个芯片扩充数据位 这个扩充方式简称“位扩充” 第4章：位扩充 第4章：2. 存储芯片地址线片选线的连接 芯片本身的地址线通常应全部与相对应的8086/8088的低位地址总线相连 寻址时，这部分地址的译码是在存储芯片内完成的，我们称为“片内译码”，即芯片本身地址线编码对应芯片本身的存储单元 用某种芯片构成存储器系统时，要知道所用地址线的总数目，通常系统地址线总数目减去所用芯片地址线的数目就是译码器输入端的最小线数，同时注意译码器还要控制线输入端，最明显的要连接CPU的M/IO端 第4章：片内译码 第4章：3. 存储芯片片选端的译码 存储系统常需利用多个存储芯片扩充容量，也就是扩充了主存储器地址范围 这种扩充简称为“地址扩充”或“字扩充” 进行“地址扩充”，需要利用存储芯片的片选端对多个存储芯片（组）进行寻址 这个寻址方法，主要通过将存储芯片的片选端与系统（8086/8088）的高