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钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟 工.烧结初期的动力学方程及计算机模拟.pdf
丈量在编哥哥: 1001-9731 (2001 )06-0635咱3
铁酸顿系 PTCR 半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟
1.烧结初期的动力学为糯及计算机模拟.
张送礼1 ,翁广安2 ,龚树萍1 ,用点祥l
(1,华中14技大学电子科学与技术革I 2. 计算机科学与技术学院,湖北武仪 430074)
不均匀性也不考虑。
摘 要: 研究丁 BaTiO,晶 PTCR 半年体陶瓷的烧给机理.建
l
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3 个阶段.
的定义,陶瓷的回相烧始可以分为
立了综合作刑机制下的烧姑初期的动力学才程,并对烧结过程 根据 Coble
!I-因即
进行T 计算机模拟,搏到 T BaTiO, 1在陶i;晶拉生位岛原料粉 第…阶段即烧翁初期.包括了一次颗粒阅一定程度上的
体斡径1U且皮是单的直观因形@ 颈的形成(赖粮闷的接触面积从零开始.增加并达到…个月F衡
关键诩: 敏戴钢!ii PTCR 陶瓷;计算机模拟;烧结初期;/i自粒 状态儿在这…阶段,颗桩内A粗?在发线变化咽颗校外形也基本
不安.lI!!个;烧纷体不发生体职咬化,密)Î;曾大极微小.即在烧销
生*
中照分拨号: TM304 文献标iR词:A
初期没有明显的品粮生长和瓷体收缩。烧错过程中颗粮农丽 t
发生的直在与质的变化以及烧始体内孔隙的球化与缩小等过程都
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是以物质迁移为前提的,烧错过程将在着各种各样的物质传递
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子扩散来实现物质迁移,温度奸商以后则逐渐被体积扩做所取
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定量模型时,渴常将网相粉校{院成为理想的球形[归。实际上,陶
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