钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟 工.烧结初期的动力学方程及计算机模拟.pdfVIP

钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟 工.烧结初期的动力学方程及计算机模拟.pdf

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钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟 工.烧结初期的动力学方程及计算机模拟.pdf

丈量在编哥哥: 1001-9731 (2001 )06-0635咱3 铁酸顿系 PTCR 半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟 1.烧结初期的动力学为糯及计算机模拟. 张送礼1 ,翁广安2 ,龚树萍1 ,用点祥l (1,华中14技大学电子科学与技术革I 2. 计算机科学与技术学院,湖北武仪 430074) 不均匀性也不考虑。 摘 要: 研究丁 BaTiO,晶 PTCR 半年体陶瓷的烧给机理.建 l l 3 个阶段. 的定义,陶瓷的回相烧始可以分为 立了综合作刑机制下的烧姑初期的动力学才程,并对烧结过程 根据 Coble !I-因即 进行T 计算机模拟,搏到 T BaTiO, 1在陶i;晶拉生位岛原料粉 第…阶段即烧翁初期.包括了一次颗粒阅一定程度上的 体斡径1U且皮是单的直观因形@ 颈的形成(赖粮闷的接触面积从零开始.增加并达到…个月F衡 关键诩: 敏戴钢!ii PTCR 陶瓷;计算机模拟;烧结初期;/i自粒 状态儿在这…阶段,颗桩内A粗?在发线变化咽颗校外形也基本 不安.lI!!个;烧纷体不发生体职咬化,密)Î;曾大极微小.即在烧销 生* 中照分拨号: TM304 文献标iR词:A 初期没有明显的品粮生长和瓷体收缩。烧错过程中颗粮农丽 t 发生的直在与质的变化以及烧始体内孔隙的球化与缩小等过程都 1 寻|育 是以物质迁移为前提的,烧错过程将在着各种各样的物质传递 陶资烧t串通常是t旨在高温作用下陶说坯体(粉体集合体)表 机制。第二阶段和第三阶段即烧给中、后剿,作者将另文讨 面fjl,减少.气孔$降低、脱拉间接触面加大以及机械强度提高的 l~l • 过程(lJ 0 在这一过程中型奋发生一系列的物理和化学变化,粉末 2. I 袋商扩散机制 颗糕的集合体转变为晶般的聚结伴。古电错体的物理、力学、机 我两扩曹文可以在较低的温度下发生,通过粉体我顶层的陈 械、电学等性能的变化常用来判断烧缔的程肢。 子扩散来实现物质迁移,温度奸商以后则逐渐被体积扩做所取 陶烧;烧续过穗f在…个十分:!f.杂的过穰.在建立烧缩过糠的 代,按附近代扩散理论.表ilii 扩散的机制宝安是空位扩散,草草激 定量模型时,渴常将网相粉校{院成为理想的球形[归。实际上,陶

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