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第一次作业 1、电压型和电流型开关器件的工作原理 （1）电压型（MOSFET、IGBT）：通过在控制端与公共端之间施加一定的电压信号即可实现器件的导通或关断的控制。实际上是该电压信号在器件的两个主电路端子之间产生可控的电场，进而来改变流过器件的电流大小和通断状态。 MOSFET工作原理：导通条件：漏源电压为正，栅源电压大于开启电压。 关断条件：漏源极电压为正，栅源极电压小于开启电压。 IGBT工作原理：导通条件：集射极电压为正，栅射极电压大于开启电压； 关断条件：栅射极电压小于开启电压。 电流型（SCR、GTO、GTR）：通过在控制端注入或抽出一定的电流实现器件的导通或关断的控制。 SCR工作原理：导通条件：正向阳极电压，正向门极电压； 关断条件：必须使阳极电流降低到某一数值之下（约几十毫 安）。两种强迫关断方式：电流换流和电压换流。 GTO工作原理：与普通晶闸管相同。开关速度高于普通晶闸管，di/dt承受 能力大于晶闸管。 GTR工作原理：导通条件：集射极加正向电压，基极加正向电流； 关断条件：基极加负脉冲。 二极管的反向击穿机理 反向击穿：PN结具有一定的反向耐压能力，但当反向电压过大，超过一定限度，反向电流就会急剧增大，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态。 反向击穿按照机理不同分为雪崩击穿、齐纳击穿两种形式。 雪崩击穿：反向电压增大，空间电荷区的电场强度增大，使从中性区漂移进入空间电荷区的载流子被加速获取很高动能，这些高能量、高速载流子撞击晶体点阵原子使其电离(碰撞电离) ，产生新的电子空穴对，新产生的电子与空穴被加速获取能量，产生新的碰撞电离，使载流子迅速成倍增加， 即雪崩倍增效应，导致载流子浓度迅速增加，反向电流急剧增大，最终PN结反向击穿。 齐纳击穿：重掺杂浓度的PN结，一般空间电荷区很窄，空间电荷区中的电场因其狭窄而很强，反偏又使空间电荷区中的电场强度增加，空间电荷区中的晶体点阵原子直接被电场电离，使价电子脱离共价键束缚，产生电子空穴对，使反向电流急剧增加。 开通和关断缓冲电路的基本类型有哪些 根据缓冲电路的作用时刻，可将其分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。如将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起，则称其为复合缓冲电路。 关断缓冲电路：又称为du/dt抑制电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。 开通缓冲电路：又称为di/dt抑制电路，用于抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。 根据组成缓冲电路的元件类型，可将其分为无源和有源缓冲电路。 无源缓冲电路：由无源元件构成，如RC、RCD、LCD缓冲电路，无源缓冲电路不需要控制和驱动电路，所以电路简单，在工程设计中得到广泛应用。 有源缓冲电路：不仅包含无源和有源元件，还包括一些控制电路和全控性开关器件的驱动电路，所以电路构成复杂。 还可分为耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路 耗能式缓冲电路（如RC、RCD缓冲电路）：缓冲电路中储能元件的能量消耗在其吸收电阻上。 馈能式缓冲电路（如LCD缓冲电路）：缓冲电路能将其储能元件的能量回馈给负载或电源，也称无损吸收电路。 开关器件驱动电路的基本要求 基本要求： ① 改善器件动静态性能：作为功率开关希望减小器件损耗，驱动电路应保证器件的充分导通和可靠关断以降低器件的导通和开关损耗。 ② 实现与主电路的电隔离：由于大多数主电路是高电压格局，要求控制信号与栅极间无点耦合。 ③ 具有较强的抗干扰能力：目的是防止器件在各种外干扰下的误开关，保证器件在高频工况下可靠工作。 ④ 具有可靠地保护能力：当主电路或驱动电路自身出现故障时，驱动电路应迅速封锁输出驱动信号并正确关断器件以保证器件的安全。 （1）电压驱动型器件（电力MOSFET和IGBT）的驱动电路的基本要求 ① 为快速建立驱动电压，要求驱动电路具有较小的输出电阻。 ② 使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取10~15V，使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取15 ~ 20V。 ③ 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 ④ 在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右） 可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。 （2）电流驱动型器件的驱动电路的基本要求 SCR触发电路的基本要求： ① 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通，比如对感性和反电动势负载的变流器应采用宽脉冲或脉冲列触发。 ② 触发脉冲应