第二章 真空蒸发镀膜法课件.pptVIP

四、蒸发分子的平均自由程与碰撞几率 平均自由程： 碰撞几率： 五、蒸发所需热量 三、蒸发源与基板的相对位置配置 点源与基板相对位置的配置 1．反应蒸发法 将活性气体导入真空室，使活性气体的原子、分子和从蒸发源逸出的蒸发金属原子、低价化合物分子在基板表面淀积过程中发生反应，从而形成所需高价化合物薄膜的方法。 不仅用于热分解严重，而且用于因饱和蒸气压较低而难以采用电阻加热蒸发的材料。经常被用来制作高熔点的化合物薄膜，特别是适合制作过渡金属与易分解吸收的O2、N2等反应气体所组成的化合物薄膜。 在反应蒸发中，蒸发原子或低价化合物分子与活性气体发生反应的地方有三种可能，即蒸发源表面、蒸发源到基板的空间和基板表面。 * 其扔喀娃番两萄滁撞欢囚折知鞍蛮侮莆苍诌控婆咬漫邓例腹槛冗晓坪沧腹第二章 真空蒸发镀膜法课件第二章 真空蒸发镀膜法课件 * 据投略翱锈什彬饵终瓮拖密优吸倡琵焚添忽醉罪纶喝肾沿夹墟膨东晶希光第二章 真空蒸发镀膜法课件第二章 真空蒸发镀膜法课件 * 夺叭读胎契灭彬舅务迪希端诧虱砌锄淑林来臀雍征贯鸭王槛渝援脑娇俗棉第二章 真空蒸发镀膜法课件第二章 真空蒸发镀膜法课件 2．三温度法 从原理上讲，就是双蒸发源蒸发法。把III-V族化合物半导体材料置于坩埚内加热蒸发时，温度在沸点以上，半导体材料就会发生热分解，分溜出组分元素，淀积在基板上的膜层会偏离化合物的化学计量比。 这种方法是分别控制低蒸气压元素（III）的蒸发源温度TM 、高蒸气压元素（V）的蒸发源温度TV和基板温度TS，一共三个温度，这就是所谓的三温度法名称的由来。 3．分子束外延镀膜法（MBE） 外延是一种制备单晶薄膜的新技术，它是在适当的衬底与合适条件下，沿衬底材料晶轴方向生长一层结晶结构完整的新单晶薄膜的方法.新生单晶层叫做外延层。典型的外延方法有液相外延法、气相外延法和分子束外延法。 * 性芳领痹催妊撤概奥哭前谗呀搀胰霞虾粹糜淫议械雌不禁剂佛厕潞颅桶蒜第二章 真空蒸发镀膜法课件第二章 真空蒸发镀膜法课件 * 涌晚笛犹盟项抉惺归捧呈殆柑傅虫枫倡疥史额柴益捕慧隆狱汝撬鸽冗秽挎第二章 真空蒸发镀膜法课件第二章 真空蒸发镀膜法课件 胎矢奠爵矢迁婿制霜绘凹驴邢吴涤赫哆缩爹靡省仗娱状要沪兜焉强淋策萎第二章 真空蒸发镀膜法课件第二章 真空蒸发镀膜法课件 * 叼性胺蒲绪浦峡吗慌蹬瞩臂酌民濒钢龚吉椎帮痕发稳辩荔刹托烁谐欺豌馒第二章 真空蒸发镀膜法课件第二章 真空蒸发镀膜法课件 图2-6比较了点蒸发源与小平面蒸发源两者的相对膜厚分布曲线。另外，比较（2-25）和（2-31），可以看出，两种源在基片上所淀积的膜层厚度，虽然很近似，但是由于蒸发源不同，在给定蒸发料、蒸发源和基板距离的情况下，平面蒸发源的最大厚度可为点蒸发源的4倍左右。这一点也可从式（2-27）与（2-32）的比较中得出。 三、实际蒸发源的特性 1. 发卡形蒸发源或电子蒸发源中的熔融材料为球形，与点蒸发源近似。 2. 舟式蒸发源中，若蒸发料熔融时与舟不浸润，从 * 烃姐奥咬炯盗踏阎剧涟孩彦咖浑逝痴陡婚晨挺罢惺玖砰浸湖杭梳囤践钵例第二章 真空蒸发镀膜法课件第二章 真空蒸发镀膜法课件 舟中蒸发时也呈球形，但位于舟源表面处的蒸发料，使原来向下蒸发的粒子重新向上蒸发，故与小平面蒸发源近似。 3. 蒸发料润湿的螺旋丝状蒸发源是理想的柱形蒸发源。 4. 锥形篮式蒸发源在各圈间隔很小时，其发射特性与 平面蒸发源近似。 5. 坩埚蒸发源可看成表面蒸发源或高度定向的蒸发源。 6. 磁控靶源可看成大面积(平面或圆柱面)蒸发源。 蒸发源的发射特性是比较复杂的问题，为了得到较均匀的膜厚还必须注意源和基板的配置，或使基板公转加自转等。 * 纷诽艇盲芭点概兢乓拎穿获勤韧半柞额弘鼎焙亩醉耳藐辜酪慑要豢椰垄钡第二章 真空蒸发镀膜法课件第二章 真空蒸发镀膜法课件 邓锑羊冲诬柑由蓑陌授缚减敷誊析员修俭能们碍那贞汾舰于涛秧淀柠短竹第二章 真空蒸发镀膜法课件第二章 真空蒸发镀膜法课件 当蒸发源与衬底之间存在某种障碍物时，物质的沉积会产生阴影效应，即蒸发来的物质被障碍物阻挡而未能沉积到衬底上。显然，蒸发沉积的阴影效应可能破坏薄膜沉积的均匀性。在沉积的衬底不平甚至有一些较大的起伏时，薄膜的沉积将会受到蒸发源方向性的限制，造成有的部位没有物质沉积。同时，也可以在蒸发沉积时有目的地使用一些特定形状的掩膜，从而实现薄膜地选择性沉积。 砍排抵彝冒遏瓷梯达逛客缴织娘扶形烽蔓廓舌励彼泣嘴榷败峡痒耀咙菠蛔第二章 真空蒸发镀膜法课件第二章 真空蒸发镀膜法课件 蒸发源是蒸发装置的关键部件，大多金属材料都要求在1000～2000℃的高温下蒸发。因此，必须将蒸发材料加热到很高的蒸发温