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第三章 B与JT晶体管
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第3章 双极结型晶体管
廖付友
阮雄飞
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2
双极结型晶体管的基本工作原理
Contents
理想双极结型晶体管中的电流传输
埃伯斯-莫尔方程
缓变基区晶体管
双极结型晶体管的结构和制造工艺
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3.1 双极结型晶体管的结构和制造工艺
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3.1 双极结型晶体管的结构和制造工艺
1、由两个相距很近的PN结组成,基区宽度远远小于少子扩散长度。
2、发射区为重搀杂,发射结为P+N或者N+P,基区是两个PN结的公共端。
3、 双极晶体管的主要作用是对电流或者电压的放大。
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晶体管与场效应晶体管的区别
晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件;而场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件。
由于场效应管的工作电流和电压都可以很小,且在工艺上易于集成,因此在大规模集成电路中占主导地位。
但是结型晶体管凭借功耗和性能方面的优势仍然广泛应用于高速计算机、火箭、卫星以及现代通信领域中。
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3.2 双极结型晶体管的基本工作原理
双极晶体管有四种工作模式,相应地称为四个工作区
令
(1)正向有源模式:
(2) 反向有源模式:
(3)饱和模式:
(4)截止模式:
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3.2.1 晶体管的放大作用
Diagram 1
Diagram 3
Diagram 4
共基极连接晶体管的放大作用
发射结正偏
集电结反偏
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3.2.1 晶体管的放大作用
Diagram 1
Diagram 3
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图3-5NPN晶体管共基极能带图
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3.2.1 晶体管的放大作用
Diagram 1
Diagram 3
Diagram 4
载流子的运输:
(1)发射结正偏,由于正向注入,电子从发射区注入基区,空穴由基区注入发射区。呈现正向偏置的少子注入
(2)假设:基区很小。即少子在到达基区与集电区边界时还没有被完全复合掉。其中大部分能到达集电结,并被内电场加速进入集电结,称为集电结电流。
(3)从发射区注入基区,进入集电区的电子电流远大于集电结反偏所提供的发祥饱和电流,是集电极电流的主要成分。
(4)晶体管实现放大的必要条件之一:基区宽度很窄
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3.2.2 电流分量
Diagram 1
Diagram 3
Diag
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