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MOSFET小功率功放 文章出处： 发布时间： 2011-8-24 20:36:54 MOSFET是英文Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是金属氧化物半导体场效应管.它是由金属、氧化物（SiO2或SiN）及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET（Power MOSFET）是指它能输出较大的工作电流（几安到几十安），用于功率输出级的器件。　　由于市场差异，MOSFET小功率功放选管参数可定为Vgs≈±1V,Vds≈±30V,Id≈2A;gfs≈15~20s,可使用N沟道K214P,P沟道J77或K246/J103,使用双电源±5~±27V均可，输出功率2.5~25W.制作要点为A点电压控制在1.8~2.3V之间，MOSFET尽量断电焊接。 一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 100W的MOSFET功率放大器 电路图 关于电路 电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。如果畅通，将改变这个直流电压偏置值[S后续阶段。电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。预设R1用于调整放大器的输出电压。电阻R3和R2设置放大器的增益。第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。这样做是为了提高线性度和增益。Q7和Q8在AB类模式运行的功率放大级的基础上。预设R8可用于调整放大器的静态电流。电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。F1和F2是安全的保险丝。 电路设置 设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV0输出。下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整奥迪R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。 注意事项 质量好的印刷电路板组装的电路。 使用一个45 / -45 V直流，3A的双电源供电电路。 电源电压不得超过55 / -55 V直流。 连接扬声器前，检查零信号放大器的输出电压，在任何情况下不应该大于50mV。如果是大于50mV，检查电路中的任何错误。另一套更换Q1，Q2，也可以解决问题。 Q7和Q8适合2 ° C / W的散热片。Q7和Q8都必须被隔离，从热水槽使用云母片。很容易在市场上几乎所有的功率晶体管/几乎所有封装形式的MOSFET散热器安装包。 所有电阻R10，R11和R19的其他1 / 4瓦的金属膜电阻。R10和R11是5W线绕型，而R19是一个3W线绕类型。 场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 功放电路技术参数: 输出功率:25V,8ohm负载. 灵敏度: 200mV 输入 25W 输出 频率响应:30Hz to 20KHz -1dB THD @ 1KHz: 0.1W 0.014% 1W 0.006% 10W 0.006% 20W 0.007% 25W 0.01% THD: 0.1W 0.024% 1W 0.016% 10W 0.02% 20W 0.045% 25W 0.07% 音频功放电路: R1,R4 = 47K 1/4W 电阻 R2 = 4K7 1/4W 电阻 R3 = 1K5 1/4W 电阻 R5 = 390R 1/4W 电阻 R6 = 470R 1/4W 电阻 R7 = 33K 1/4W 电阻 R8 = 150K 1/4W 电阻 R9 = 15K 1/4W 电阻 R10 = 27R 1/4W 电阻 R11 = 500R 1/2W R12,R13,R16 = 10R 1/4W 电阻 R14,R15 = 220R 1/4W 电阻 R17 = 8R2 2W 电阻 R18 = R22 4W 电阻 (wirewound) C1 = 470nF 63V 薄膜电容器 C2 = 330pF 63V 薄膜电容器 C3,C5 = 470uF 63V 电解电容器 C4,C6,C8,C11 = 100nF 63V 薄膜电容器s C7 = 100uF 25V 电解电容器 C9 = 10pF 63V 薄膜电容器 C10 = 1uF 63V 薄膜电容器 Q1-Q5 = BC560C 45V100mA 低噪声高增益PNP三极管 Q6 = BD140 80V 1.5A PNP三极管 Q7 = BD139 80V 1.5A NPN 三极管 Q8 = IRF532 100V 12A N沟道场效应管 Q9 = IRF9532 100V 10A P沟道场效应管 电源电路